WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008013712) STRUCTURE DE MICRO-ÉLÉMENT CHAUFFANT DE LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/013712    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/016260
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 18.07.2007
CIB :
H01S 5/026 (2006.01), H01S 5/06 (2006.01), H01S 5/0625 (2006.01), H01S 5/12 (2006.01), H01S 5/024 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/223 (2006.01), G02F 1/377 (2006.01)
Déposants : CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza, Corning, New York 14831 (US) (Tous Sauf US).
HU, Martin, H. [CN/US]; (US) (US Seulement).
LIU, Xingsheng [CN/US]; (US) (US Seulement).
ZAH, Chung-En [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HU, Martin, H.; (US).
LIU, Xingsheng; (US).
ZAH, Chung-En; (US)
Mandataire : CARLSON, Robert, L.; Corning Incorporated, Intellectual Property Department, SP-TI-3-1, Corning, New York 14831 (US)
Données relatives à la priorité :
60/833,531 26.07.2006 US
11/542,408 03.10.2006 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER MICRO-HEATING ELEMENT STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE MICRO-ÉLÉMENT CHAUFFANT DE LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor laser (10) is provided comprising a semiconductor substrate (20), an active region (30), a ridge waveguide (40), a driving electrode structure (50, 52, 54), and a micro-heating element structure (62, 64). The nnicro-heating element structure comprises a pair of heating element strips (62, 64) extending along the longitudinal dimension, of the semiconductor laser. The heating element strips are on opposite sides of the ridge waveguide such that one of the heating element strips extends along one side of the ridge waveguide while a remaining heating element strip extends along another side of the ridge waveguide. The semiconductor laser comprises a DBR laser comprising a wavelength selective region (12), a phase matching region (14), and a gain region (16) extending generally along a direction of said ridge waveguide; and said heating element strips of said micro-heating element structure extend along at least a portion of at least one of said wavelength selective, phase, and gain regions.
(FR)Un laser à semi-conducteur est proposé, comportant un substrat semi-conducteur, une région active, un guide d'ondes à parois ondulées, une structure d'électrode de commande et une structure de micro-élément chauffant. La structure de micro-élément chauffant possède deux bandes d'élément chauffant s'étendant le long de la dimension longitudinale du laser à semi-conducteur. Les bandes d'élément chauffant sont situées sur des côtés opposés du guide d'ondes à parois ondulées, de telle sorte que l'une des bandes d'élément chauffant s'étend le long d'un côté du guide d'ondes à parois ondulées tandis qu'une bande d'élément chauffant restante s'étend le long d'un autre côté du guide d'ondes à parois ondulées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)