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1. (WO2008013675) PRÉCURSEURS UTILISÉS POUR LE DÉPÔT DE COUCHES ATOMIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/013675    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/015847
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 12.07.2007
CIB :
H01L 21/469 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : THE BOC GROUP, INC. [US/US]; 575 Mountain Avenue, Murray Hill, NJ 07974 (US) (Tous Sauf US).
MA, Ce [US/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Qing, Min [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MA, Ce; (US).
WANG, Qing, Min; (US)
Mandataire : HEY, David, A.; The Boc Group, Inc., 575 Montain Avenue, Murray Hill, NJ 07974 (US)
Données relatives à la priorité :
60/832,561 21.07.2006 US
Titre (EN) PRECURSORS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION
(FR) PRÉCURSEURS UTILISÉS POUR LE DÉPÔT DE COUCHES ATOMIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Stable ALD precursors that have at least one metal-nitrogen bond and a mixed ligand are presented. These ALD precursors exhibit self-limiting growth, at reduced deposition temperature and produce less contamination all with enhanced stability.
(FR)L'invention concerne des précurseurs stables utilisés pour le dépôt de couches atomiques (ALD), comportant au moins une liaison métal-azote ainsi qu'un ligand mixte. Lesdits précurseurs présentent une croissance automodératrice à une faible température de dépôt, produisent moins d'impuretés, et possèdent une stabilité accrue.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)