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1. (WO2008013665) PROCÉDÉS ET APPAREIL POUR LA VAPORISATION ET L'ADMINISTRATION DE PRÉCURSEURS DE SOLUTION POUR UN DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/013665    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/015596
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 06.07.2007
CIB :
C23C 16/00 (2006.01)
Déposants : THE BOC GROUP, INC. [US/US]; 575 Mountain Avenue, Murray Hill, NJ 07974 (US) (Tous Sauf US).
WANG, Qing, Min [US/--]; (US) (US Seulement).
HELLY, Patrick, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
MA, Ce [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Qing, Min; (US).
HELLY, Patrick, J.; (US).
MA, Ce; (US)
Mandataire : HEY, David, A.; The Boc Group, Inc., 575 Mountain Avenue, Murray Hill, NJ 07974 (US)
Données relatives à la priorité :
60/832,558 21.07.2006 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR THE VAPORIZATION AND DELIVERY OF SOLUTION PRECURSORS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREIL POUR LA VAPORISATION ET L'ADMINISTRATION DE PRÉCURSEURS DE SOLUTION POUR UN DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Improved apparatus and methods for atomic layer deposition (ALD) are described- In particular, improved methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution ALD precursors are provided. The present invention is particularly useful for processing lower volatile metal, metal oxide, metal nitride and other thin film precursors. The present invention uses total vaporization chambers and room temperature valve systems to generate true ALD vapor pulses while increasing utilization efficiency of the solution precursors.
(FR)L'invention concerne un appareil et des procédés améliorés pour le dépôt d'une couche atomique (ALD). En particulier, l'invention concerne des procédés et des appareils améliorés pour la vaporisation et la distribution de précurseurs d'ALD en solution. La présente invention est particulièrement utile pour le traitement d'un métal volatil inférieur, d'un oxyde métallique, d'un nitrure métallique et autres précurseurs de films minces. La présente invention utilise des chambres de vaporisation totale et des systèmes de soupape à température ambiante pour générer des pulsations de vapeur d'ALD véritable tout en augmentant l'efficacité d'utilisation des précurseurs de solution.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)