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1. (WO2008013659) PRÉCURSEURS UNIQUES UTILISÉS POUR LE DÉPÔT DE COUCHES ATOMIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/013659    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/015407
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 02.07.2007
CIB :
H01L 21/44 (2006.01), C07F 5/06 (2006.01), C07F 7/00 (2006.01), C07F 9/00 (2006.01), C07F 13/00 (2006.01)
Déposants : THE BOC GROUP, INC. [US/US]; 575 Mountain Avenue, Murray Hill, NJ 07974-2064 (US) (Tous Sauf US).
MA, Ce [US/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Qing Min [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MA, Ce; (US).
WANG, Qing Min; (US)
Mandataire : HEY, David, A.; The Boc Group, Inc., 575 Mountain Avenue, Murray Hill, NJ 07974 (US)
Données relatives à la priorité :
60/832,559 21.07.2006 US
Titre (EN) SINGLE PRECURSORS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION
(FR) PRÉCURSEURS UNIQUES UTILISÉS POUR LE DÉPÔT DE COUCHES ATOMIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Single precursors for use in flash ALD processes are disclosed. These precursors have the general formula: XmM(OR)n or XpM(02R')q where M is Hf, Zr, Ti, A1, or Ta; X is a ligand that can interact with surface hydroxyl sites; OR and O2R' are alkoxyl groups with R and R' containing two or more carbon atoms; m + π = 3 to 5; P+2q = 3 to 5; and m, n, p, q ≠ O. Further precursors have the general formula: (R12N)mM(=NR2)π or (R3CN2R42)PM(=NR2)q where M is Hf, Zr, Ti, or Ta; R12N is an amino group with R1 containing two or more carbon atoms; NR2 is an imido group with R2 containing two or more carbon atoms; R3 and R4 are alkyl groups; m+2n = 4 or 5; p+2q = 4 or 5; and m, n, p, q ≠ 0. Flash ALD methods using these precursors are also described.
(FR)L'invention concerne des précurseurs uniques utilisés pour des procédés de dépôt de couches atomiques (ALD) faisant appel à un flash. Ces précurseurs sont de formule générale : XmM(OR)n ou XpM(02R')q. Dans ces formules, M désigne Hf, Zr, Ti, Al, ou Ta; X représente un ligand pouvant interagir avec des sites hydroxyle de surface; OR et O2R' désignent des groupes alcoxyle dans lesquels R et R' comportent deux atomes de carbone ou davantage; m + π = 3 à 5; P+2q = 3 à 5; et m, n, p, q ≠0. L'invention se rapporte également à d'autres précurseurs de formule générale : (R12N)mM(=NR2)π ou (R3CN2R42)PM(=NR2)q. Dans ces formules, M représente Hf, Zr, Ti, ou Ta; R12N est un groupe amino dans lequel R1 comporte deux atomes de carbone ou davantage; NR2 est un groupe imido dans lequel R2 comporte deux atomes de carbone ou davantage; R3 et R4 désignent des groupes alkyle; m+2n = 4 ou 5; p+2q = 4 ou 5; et m, n, p, q ≠ 0. La présente invention concerne en outre des procédés de dépôt de couches atomiques (ALD) faisant appel à un flash, dans lesquels lesdits précurseurs sont utilisés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)