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1. (WO2008013619) PROCÉDÉ ET APPAREIL PERMETTANT DE PROGRAMMER DES DISPOSITIFS À CHANGEMENT DE PHASE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/013619    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/014484
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 21.06.2007
CIB :
G11C 11/00 (2006.01)
Déposants : CSWITCH CORPORATION [US/US]; 3131 Jay Street, Suite 200, Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
CHAN, Vei-han [US/US]; (US) (US Seulement).
KORDUS, Louis, C. II [US/US]; (US) (US Seulement).
DERHACOBIAN, Narbeh [US/US]; (US) (US Seulement).
GOLBUS, Jason [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHAN, Vei-han; (US).
KORDUS, Louis, C. II; (US).
DERHACOBIAN, Narbeh; (US).
GOLBUS, Jason; (US)
Mandataire : WINTERS, William, E.; Patent Law Professionals, P.o.box 612407, San Jose, CA 95161 (US)
Données relatives à la priorité :
11/494,413 27.07.2006 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PROGRAMMING PHASE CHANGE DEVICES
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL PERMETTANT DE PROGRAMMER DES DISPOSITIFS À CHANGEMENT DE PHASE
Abrégé : front page image
(EN)Methods and apparatus for programming a phase change device (PCD) to a low resistance state. According to an exemplary method, one or more first programming pulses having a predetermined magnitude and/or duration are applied to a PCD. After each programming pulse is applied, the programmed resistance of the PCD is compared to a target resistance specification. If the programmed resistance is not in accordance with the target resistance specification, one or more second programming pulses having a magnitude and/or duration different than the magnitude and/or duration of the one or more first programming pulses are applied to the PCD. This process is repeated until the programmed resistance of the PCD satisfies the target resistance specification or it is determined that the PCD cannot be programmed to a resistance value that satisfies the target resistance specification.
(FR)L'invention porte sur des procédés et un appareil qui permettent de programmer un dispositif à changement de phase ('phase change device' ou PCD) dans un état de faible résistance. Selon un procédé à titre d'exemple, on applique à un dispositif à changement de phase au moins une première impulsion de programmation possédant une amplitude et/ou une durée prédéterminées. Après l'application de chaque impulsion de programmation, on compare la résistance programmée du dispositif à changement de phase à une spécification de résistance cible. Si la résistance programmée n'est pas conforme à la spécification de résistance cible, on applique au dispositif à changement de phase au moins une seconde impulsion de programmation possédant une amplitude et/ou une durée différente de l'amplitude et/ou la durée de la première impulsion de programmation. On répète le processus jusqu'à ce que la résistance programmée du dispositif à changement de phase satisfasse la spécification de résistance cible ou jusqu'à ce qu'il ait été déterminé que le dispositif à changement de phase ne peut pas être programmé à une valeur de résistance qui satisfait la spécification de résistance cible.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)