WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008013407) ¨POUDRE D'OXYDE DE CÉRIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET SUSPENSION CMP CONTENANT CETTE POUDRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/013407    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/003579
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 26.07.2007
CIB :
C09K 3/14 (2006.01)
Déposants : LG CHEM, LTD. [KR/KR]; 20, Yoido-dong, Youngdungpo-gu, Seoul 150-721 (KR) (Tous Sauf US).
OH, Myoung-Hwan [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
CHO, Seung-Beom [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
NHO, Jun-Seok [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Jong-Pil [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Jang-Yul [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : OH, Myoung-Hwan; (KR).
CHO, Seung-Beom; (KR).
NHO, Jun-Seok; (KR).
KIM, Jong-Pil; (KR).
KIM, Jang-Yul; (KR)
Mandataire : HAM, Hyun-Kyung; 14F., Kukdong Building, 60-1, Chungmuro3-ka, Chung-ku, Seoul 100-705 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0071703 28.07.2006 KR
10-2006-0071713 28.07.2006 KR
10-2007-0046206 11.05.2007 KR
Titre (EN) CERIUM OXIDE POWDER, METHOD FOR PREPARING THE SAME, AND CMP SLURRY COMPRISING THE SAME
(FR) ¨POUDRE D'OXYDE DE CÉRIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET SUSPENSION CMP CONTENANT CETTE POUDRE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is cerium oxide powder for a CMP abrasive, which can improve polishing selectivity of a silicon oxide layer to a silicon nitride layer and/or within-wafer non- uniformity (WIWNU) during chemical mechanical polishing in a semiconductor fabricating process. More particularly, the cerium oxide powder is obtained by using cerium carbonate having a hexagonal crystal structure as a precursor. Also, CMP slurry comprising the cerium oxide powder as an abrasive, and a shallow trench isolation method for a semiconductor device using the CMP slurry as polishing slurry are disclosed.
(FR)Poudre d'oxyde de cérium pour abrasif CMP pouvant améliorer le polissage sélectif d'une couche d'oxyde de silicium et/ou la non uniformité intra-tranche pendant la phase de polissage chimio-mécanique d'un processus de fabrication de semi-conducteurs. Plus spécifiquement, cette poudre d'oxyde de cérium est obtenue à partir d'un carbonate de cérium à structure cristalline hexagonale comme précurseur. Sont également décrits un coulis CMP comprenant une poudre d'oxyde de cérium comme abrasif et un procédé d'isolation de tranchées peu profondes pour dispositifs à semi-conducteur au moyen d'un coulis CMP de polissage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)