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1. (WO2008013388) DIODE LASER DOTÉE D'UN DISPOSITIF ÉMETTEUR OPTIQUE À ENCLENCHEMENT RAPIDE UTILISANT CETTE MÊME DIODE, ET APPAREIL OPTIQUE DE COMMUNICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/013388    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/003546
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 23.07.2007
CIB :
H01S 3/0941 (2006.01)
Déposants : ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE [KR/KR]; 161, Gajeon-dong, Yusong-gu, Daejeon-city 305-350 (KR) (Tous Sauf US).
PARK, Sung-Woong [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Bong-Kyu [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YOON, Bin-Yeong [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Sung-Woong; (KR).
KIM, Bong-Kyu; (KR).
YOON, Bin-Yeong; (KR)
Mandataire : Y.P.LEE, MOCK & PARTNERS; 1575-1, Seocho-dong, Seocho-gu, Seoul 137-875 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0071655 28.07.2006 KR
Titre (EN) LASER DIODE HAVING AN ABRUPT TURN-ON, OPTICAL TRANSMITTER DEVICE USING THE SAME LASER DIODE AND OPTICAL COMMUNICATION APPARATUS
(FR) DIODE LASER DOTÉE D'UN DISPOSITIF ÉMETTEUR OPTIQUE À ENCLENCHEMENT RAPIDE UTILISANT CETTE MÊME DIODE, ET APPAREIL OPTIQUE DE COMMUNICATION
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a laser diode which has low power consumption and can realize a high on/off extinction ratio by small variation of current and which can modulate optical signals at high speed, an optical transmitter, and an optical communication apparatus including the optical transmitter. The laser diode having an abrupt turn-on characteristic, comprises: an active region in which light is generated by application of current and gain is controlled; and an absorption region absorbing light generated in the laser diode at a current lower than an abrupt threshold current that is the same as or lower than an operation current, the operation current being a current level that allows the laser diode to generate a target optical power, wherein the output optical power rapidly increase s at the abrupt threshold current.
(FR)L'invention concerne une diode laser à faible consommation d'énergie à vitesse d'extinction élevée entre activité et arrêt pour une faible variation d'intensité et de moduler des signaux optiques à cadence élevée, ainsi qu'un émetteur optique et un appareil de communication optique incluant l'émetteur optique. La diode optique à caractéristique d'excitation rapide comprend: une région active dans laquelle est générée une lumière par application de courant et commande de gain; et une région d'absorption absorbant la lumière générée par la diode sous une intensité inférieure au courant de seuil abrupt, qui est égal ou inférieur à un courant de fonctionnement, ce courant de fonctionnement se situant à un niveau qui permet à la diode laser de générer une puissance optique cible augmentant rapidement avec le courant de seuil rapide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)