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1. (WO2008013171) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/013171    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/064498
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 24.07.2007
CIB :
H05B 33/14 (2006.01), C09K 11/54 (2006.01), C09K 11/56 (2006.01), C09K 11/58 (2006.01), C09K 11/62 (2006.01), H05B 33/12 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
ONO, Masayuki; (US Seulement).
TANIGUCHI, Reiko; (US Seulement).
NASU, Shogo; (US Seulement).
SATOH, Eiichi; (US Seulement).
HASEGAWA, Kenji; (US Seulement).
AOYAMA, Toshiyuki; (US Seulement).
ODAGIRI, Masaru; (US Seulement)
Inventeurs : ONO, Masayuki; .
TANIGUCHI, Reiko; .
NASU, Shogo; .
SATOH, Eiichi; .
HASEGAWA, Kenji; .
AOYAMA, Toshiyuki; .
ODAGIRI, Masaru;
Mandataire : TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS IMP Building 3-7, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 540-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-201482 25.07.2006 JP
2006-224915 22.08.2006 JP
Titre (EN) LIGHT EMITTING ELEMENT AND DISPLAY DEVICE
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 発光素子、及び、表示装置
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting element is provided with a pair of electrodes at least one of which is transparent or semitransparent, and a light emitting layer, which is arranged by being sandwiched between the electrodes and has a polycrystalline structure composed of a first semiconductor material. On the grain boundary of the polycrystalline structure, a second semiconductor material different from the first semiconductor material is segregated. Furthermore, the first semiconductor material and the second semiconductor material preferably have semiconductor structures having conductivity types different from each other. Furthermore, the first semiconductor material preferably has an n-type semiconductor structure, and the second semiconductor material preferably has a p-type semiconductor structure. Furthermore, when the first semiconductor material is a zinc-based material including zinc, at least one of the pair of electrodes is composed of a material including zinc.
(FR)L'élément émetteur de lumière selon l'invention comporte une paire d'électrodes dont au moins une est transparente ou semi-transparente, et une couche émettrice de lumière qui est intercalée entre les électrodes et comporte une structure polycristalline composée d'un premier matériau semi-conducteur. Sur la limite de grain de la structure polycristalline, un second matériau semi-conducteur différent du premier matériau semi-conducteur est ségrégué. En outre, le premier matériau semi-conducteur et le second matériau semi-conducteur comportent de préférence des structures semi-conductrices dont les types de conductivité sont différents l'un de l'autre. En outre, le premier matériau semi-conducteur comporte de préférence une structure semi-conductrice de type n, et le second matériau semi-conducteur comporte de préférence une structure semi-conductrice de type p. Par ailleurs, lorsque le premier matériau semi-conducteur est un matériau à base de zinc comprenant du zinc, au moins l'une des deux électrodes est composée d'un matériau comprenant du zinc.
(JA) この発光素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、前記電極間に挟持されて設けられており、第1半導体物質からなる多結晶体構造を有する発光層とを備え、前記多結晶体構造の粒界に前記第1半導体物質とは異なる第2半導体物質が偏析している。また、前記第1半導体物質と前記第2半導体物質とは、互いに異なる伝導型の半導体構造を有することが好ましい。さらに、前記第1半導体物質はn型半導体構造を有し、前記第2半導体物質はp型半導体構造を有することが好ましい。さらに、前記第1半導体物質が亜鉛を含む亜鉛系材料である場合には、前記一対の電極のうち、少なくとも一方は、亜鉛を含む材料からなることが好ましい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)