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1. (WO2008012937) PROCÉDÉ DE LIAGE DE TRANCHE, PROCÉDÉ D'AMINCISSEMENT ET PROCÉDÉ DE SÉPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/012937    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/000540
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 21.05.2007
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012 (JP) (Tous Sauf US).
INAO, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INAO, Yoshihiro; (JP)
Mandataire : OSUGA, Yoshiyuki; 3rd Fl., Nibancho Bldg. 8-20, Nibancho Chiyoda-ku, Tokyo 1020084 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-206319 28.07.2006 JP
Titre (EN) WAFER BONDING METHOD, THINNING METHOD AND DETACHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE LIAGE DE TRANCHE, PROCÉDÉ D'AMINCISSEMENT ET PROCÉDÉ DE SÉPARATION
(JA) ウエハの接着方法、薄板化方法、及び剥離方法
Abrégé : front page image
(EN)In the wafer bonding method, thinning method and detaching method, an adhesive layer for bonding support plate (1) with wafer (5) has a triple layer structure composed of soft adhesive layers (32,33) and, vertically interposed therebetween, hard adhesive layer (31). As both the top side and the backside of the adhesive layer consist of a soft adhesive layer, the adherence thereof to the wafer (5) and support plate (1) is high, so that there would not occur such problems that on the wafer (5) having been thinned by grinding operation, an end portion detached before dicing flips upward. Further, even when in a grinding apparatus, evacuation is performed, or a grinding press force is applied, from the non-bonding surface side of the support plate (1), as the intermediate adhesive layer consists of the hard adhesive layer (31) and is strong in the resistance to deformation, the soft adhesive layer (33) would not be deformed toward the side of through-hole (2) by accompanying movement of being pulled in or pushed in the through-hole (2). Therefore, there would not occur any transfer of trace of the through-hole (2) onto a circuit formation surface of the wafer (5) having passed through a detaching operation.
(FR)La présente invention concerne un procédé de liage de tranche, un procédé d'amincissement et un procédé de séparation, dans lesquels une couche adhésive pour lier une plaque de support (1) avec une tranche (5) possède une structure à trois couches composée de couches adhésives molles (32, 33) et, interposée verticalement entre celles-ci, une couche adhésive dure (31). Du fait que le côté supérieur et le côté arrière de la couche adhésive sont constitués d'une couche adhésive molle, leur adhérence à la tranche (5) et à la plaque de support (1) est importante, de sorte que des problèmes tels que, sur la tranche (5) qui a été amincie par l'intermédiaire d'une opération de meulage, une partie d'extrémité séparée avant le découpage en dés se retourne vers le haut, ne se produisent pas. En outre, même lorsque, dans un appareil de meulage, l'évacuation est réalisée, ou une force de meulage à la presse est appliquée, à partir du côté de surface de non-liage de la plaque de support (1), du fait que la couche adhésive intermédiaire est constituée de la couche adhésive dure (31) et possède une forte résistance à la déformation, la couche adhésive molle (33) ne sera pas déformée vers le côté du trou débouchant (2) en accompagnant le mouvement qui consiste à être tiré ou poussé à l'intérieur du trou débouchant (2). Donc, il ne se produira pas de transfert de trace du trou débouchant (2) sur une surface de formation de circuit de la tranche (5) qui est passée à travers une opération de séparation.
(JA)figure
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)