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1. (WO2008012899) DISPOSITIF DE CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEURS, SYSTÈME DE DISPOSITIF DE CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR LE DISPOSITIF DE CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/012899    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/314900
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 27.07.2006
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 27/118 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
KATAKURA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KATAKURA, Hiroshi; (JP)
Mandataire : SANADA, Tamotsu; Kichijoji-Hirose Bldg. 5th Floor, 10-31, Kichijoji-honcho 1-chome, Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR CIRCUIT DEVICE, SEMICONDUCTOR CIRCUIT DEVICE SYSTEM, AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SEMICONDUCTOR CIRCUIT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEURS, SYSTÈME DE DISPOSITIF DE CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR LE DISPOSITIF DE CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体回路装置,半導体回路装置システムおよび半導体回路装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor circuit device constituted to comprise a first semiconductor substrate (10) of a first conduction type, a first diffusion domain (13) of the first conduction type having a second conduction type transistor (301) formed therein, a second diffusion domain (11) of a second conduction type having a first conduction type transistor (302) formed therein, a third diffusion domain (14) of the first conduction type, to which a back bias voltage of a first polarity is applied, and a fourth diffusion domain (12) of the second conduction type, to which a back bias voltage of a second polarity is applied. This constitution can decrease the wiring number thereby to narrow a power source wiring area.
(FR)Dispositif de circuit à semi-conducteurs constitué d'un premier substrat à semi-conducteurs (10) d'un premier type de conduction, d'un premier domaine de diffusion (13) du premier type de conduction ayant un transistor du deuxième type de conduction (301) formé dans celui-ci, un deuxième domaine de diffusion (11) d'un deuxième type de conduction ayant un transistor du premier type de conduction (302) formé dans celui-ci, un troisième domaine de diffusion (14) du premier type de conduction, auquel une tension de polarisation inverse d'une première polarité est appliquée, et un quatrième domaine de diffusion (12) du deuxième type de conduction, auquel une tension de polarisation inverse d'une deuxième polarité est appliquée. Cette constitution peut diminuer la quantité de câblage pour ainsi réduire la zone de câblage de prise d'alimentation.
(JA) 第1導電型の半導体基板(10)と、第2導電型のトランジスタ(301)が形成された第1導電型の第1の拡散領域(13)と、第1導電型のトランジスタ(302)が形成された第2導電型の第2の拡散領域(11)と、第1極性のバックバイアス電圧が印加される第1導電型の第3の拡散領域(14)と、第2極性のバックバイアス電圧が印加される第2導電型の第4の拡散領域(12)とを有するように構成することにより、配線数を削減して電源配線領域を小さくできるようにする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)