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1. (WO2008012462) CIRCUIT DE LECTURE D'UN ELEMENT DE RETENTION DE CHARGES POUR MESURE TEMPORELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/012462    N° de la demande internationale :    PCT/FR2007/051700
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 20.07.2007
CIB :
G11C 27/00 (2006.01), G11C 7/10 (2006.01)
Déposants : STMICROELECTRONICS SA [FR/FR]; 29, Boulevard Romain Rolland, F-92120 Montrouge (FR) (Tous Sauf US).
LA ROSA, Francesco [IT/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : LA ROSA, Francesco; (FR)
Mandataire : CABINET BEAUMONT; 1, Rue Champollion, F-38000 Grenoble (FR)
Données relatives à la priorité :
0653136 27.07.2006 FR
Titre (EN) CIRCUIT FOR READING A CHARGE RETENTION ELEMENT FOR TEMPORAL MEASUREMENT
(FR) CIRCUIT DE LECTURE D'UN ELEMENT DE RETENTION DE CHARGES POUR MESURE TEMPORELLE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method and a circuit for reading an electronic charge retention element (10) for a temporal measurement, of the type comprising at least one capacitive element (C1, C2) whose dielectric exhibits a leakage and a transistor with insulated control terminal (5) for reading the residual charges, the reading circuit comprising: two parallel branches between two supply terminals, each branch comprising at least one transistor of a first type (P1, P2) and one transistor of a second type (N3, 5), the transistor of the second type of one of the branches consisting of that of the element to be read and the transistor of the second type of the other branch receiving, on its control terminal, a staircase signal (VDAC), the respective drains of the transistors of the first type being connected to the respective inputs of a comparator (135) whose output (OUT) provides an indication of the residual voltage in the charge retention element.
(FR)L'invention concerne un procédé et un circuit de lecture d'un élément électronique de rétention de charges (10) pour une mesure temporelle, du type comportant au moins un élément capacitif (C1, C2) dont le diélectrique présente une fuite et un transistor à borne de commande isolée (5) de lecture des charges résiduelles, le circuit de lecture comportant : deux branches parallèles entre deux bornes d'alimentation, chaque branche comportant au moins un transistor d'un premier type (P1, P2) et un transistor d'un deuxième type (N3, 5), le transistor du deuxième type de l'une des branches étant constitué par celui de l'élément à lire et le transistor du deuxième type de l'autre branche recevant, sur sa borne de commande, un signal (VDAC) en escalier, les drains respectifs des transistors du premier type étant connectés aux entrées respectives d'un comparateur (135) dont la sortie (OUT) fournit une indication du niveau de tension résiduel dans l'élément de rétention de charges.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)