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1. (WO2008012342) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À MODIFICATION DE PHASE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/012342    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/057706
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 26.07.2007
CIB :
H01L 27/24 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01)
Déposants : STMICROELECTRONICS S.R.L. [IT/IT]; Via C. Olivetti, 2, I-20041 Agrate Brianza (IT) (Tous Sauf US).
PELLIZZER, Fabio [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
BEZ, Roberto [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
BEDESCHI, Ferdinando [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
GASTALDI, Roberto [IT/IT]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : PELLIZZER, Fabio; (IT).
BEZ, Roberto; (IT).
BEDESCHI, Ferdinando; (IT).
GASTALDI, Roberto; (IT)
Mandataire : JORIO, Paolo; STUDIO TORTA S.r.l., Via Viotti, 9, I-10121 Torino (IT)
Données relatives à la priorité :
06425531.8 27.07.2006 EP
Titre (EN) PHASE CHANGE MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À MODIFICATION DE PHASE
Abrégé : front page image
(EN)A phase change memory device with memory cells (2) formed by a phase change memory element (3) and a selection switch (4). A reference cell (2a) formed by an own phase change memory element (3) and an own selection switch (4) is associated to a group (7) of memory cells to be read. An electrical quantity of the group of memory cells is compared with an analogous electrical quantity of the reference cell, thereby compensating any drift in the properties of the memory cells.
(FR)Dispositif de mémoire à modification de phase avec cellules de mémoire (2) formé d'un élément de mémoire à modification de phase (3) et d'un commutateur de sélection (4). Une cellule de référence (2a), formée d'un élément de mémoire à modification de phase (3) et de son propre commutateur de sélection (4), est associée à un groupe (7) de cellules de mémoire à lire. Une quantité électrique du groupe de cellules de mémoire est comparée à une quantité électrique analogue de la cellule de référence, compensant ainsi toute dérive dans les propriétés des cellules de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)