WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008012332) COMPOSANT AVEC UN TRANSISTOR À FILM MINCE ET DES TRANSISTORS CMOS, AINSI QUE PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/012332    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/057675
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 25.07.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.05.2008    
CIB :
H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01)
Déposants : AUSTRIAMICROSYSTEMS AG [AT/AT]; Schloss Premstätten, A-8141 Unterpremstätten (AT) (Tous Sauf US).
ENICHLMAIR, Hubert [AT/AT]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : ENICHLMAIR, Hubert; (AT)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
102006035073.1 28.07.2006 DE
Titre (DE) BAUELEMENT MIT EINEM DÜNNFILMTRANSISTOR UND CMOS-TRANSISTOREN SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
(EN) COMPONENT COMPRISING A THIN-FILM-TRANSISTOR AND CMOS-TRANSISTORS AND METHODS FOR PRODUCTION
(FR) COMPOSANT AVEC UN TRANSISTOR À FILM MINCE ET DES TRANSISTORS CMOS, AINSI QUE PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein elektrisches Bauelement angegeben, in dessen kristallinem Halbleiterkörper (HLK) mehrere CMOS-Transistoren (Sb, Db, Gb, GDb) in Hoch- oder Niedervolttechnik ausgebildet sind. Die einzelnen CMOS-Transistoren sind durch Isolationsgebiete (IG, IG') voneinander getrennt. Auf einem Isolationsgebiet (IG') ist ein Dünnfilmtransistor (S, D, Gd, GDd) ausgebildet, dessen Gate (Gd) zusammen mit dem Gate (Gb) der CMOS-Transistoren aus der gleichen Polysiliziumschicht realisiert ist. Das Gate-Oxid (GDd) des Dünnfilmtransistors kann ebenso wie eine zweite Polysiliziumschicht (PS2) für Source (S), Drain (D) und Body des Dünnfilmtransistors zusammen mit bereits im CMOS-Prozess vorhandenen Strukturelementen erzeugt werden.
(EN)The invention relates to an electric component, comprising a crystallic semiconductor body (HLK) having several CMOS-transistors (Sb, Db, Gb, GDb) in low- or highvoltage technology. The individual CMOS-transistors are separated from each other by insulation areas (IG, IG'). A thin film transistor is embedded on an insulation area (IG'), the gate (Gd) thereof is, together with the gate (Gb) of the CMOS-transistors, made of the same polysilicon layer (PS2). The gate oxide (GDd) of the thin film transistor can be produced, just like a second polysilicon layer (PS2) for source (S), drain (D) and body of the thin-film transistor, together with structural elements already present in the CMOS-process.
(FR)L'invention concerne un composant électrique, dans le corps cristallin à semi-conducteurs (HLK) duquel sont réalisés plusieurs transistors CMOS (Sb, Db, Gb, GDb) en technique à voltage élevé ou bas. Les différents transistors CMOS sont séparés les uns des autres par des zones d'isolation (IG, IG'). Sur une zone d'isolation (IG') est réalisé un transistor à film mince (S, D, Gd, GDd), dont la grille (Gd) est réalisée conjointement avec la grille (Gb) des transistors CMOS en la même couche de polysilicium. La grille-oxyde (GDd) du transistor à film mince peut tout comme une deuxième couche de polysilicium (PS2) pour la source (S), le drain (D) et le corps du transistor à film mince, être produite conjointement avec des éléments de structure déjà présents dans le processus CMOS.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)