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1. (WO2008011442) PROCÉDÉ ET APPAREIL ENTRAÎNANT L'OPÉRATION STABLE DE DIODES DE TUNNÉLISATION RÉSONANTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/011442    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/073742
Date de publication : 24.01.2008 Date de dépôt international : 18.07.2007
CIB :
H01L 29/88 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 23/66 (2006.01), H03K 3/315 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01)
Déposants : RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street, Waltham, MA 02451-1449 (US) (Tous Sauf US).
FRAZIER, Gary, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FRAZIER, Gary, A.; (US)
Mandataire : WILLIAMS, Bradley, P.; Baker Botts L.l.p., 2001 Ross Avenue, Suite 600, Dallas, TX 75201 (US)
Données relatives à la priorité :
60/807,699 18.07.2006 US
11/779,184 17.07.2007 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR EFFECTING STABLE OPERATION OF RESONANT TUNNELING DIODES
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL ENTRAÎNANT L'OPÉRATION STABLE DE DIODES DE TUNNÉLISATION RÉSONANTES
Abrégé : front page image
(EN)A circuit includes a resonant tunneling device having first and second terminals, and biased to exhibit a negative resistance between the terminals, the terminals being coupled at spaced locations to a further section made of a material which has a plasma resonance tuned to a selected frequency. A different circuit includes a resonant tunneling structure with plural layers, including an outer layer coupled to a further layer made of a material which has a plasma resonance tuned to a selected frequency. Two circuit sections are respectively coupled to the resonant tunneling structure at spaced locations thereon. A bias is applied across the tunneling structure and further layer, and causes the tunneling structure to exhibit a negative resistance.
(FR)La présente invention concerne un circuit qui comprend un dispositif de tunnélisation résonante ayant un premier et un second terminal et polarisé pour exercer une résistance négative entre les terminaux, ces derniers étant couplés à des emplacements écartés vers une section ultérieure faite d'une matière qui a une résonance de plasma accordée à une fréquence sélectionnée. Un différent circuit comprend une structure de tunnélisation résonante à plusieurs couches, comprenant une couche extérieure couplée à une couche plus lointaine faite d'une matière qui comprend une résonance de plasma accordée à une fréquence sélectionnée. Deux sections de circuit sont respectivement couplées à la structure de tunnélisation résonante à des emplacements espacés dessus. Une polarisation est appliquée à travers la structure de tunnélisation et la couche plus lointaine et fait que la structure de tunnélisation montre une résistance négative.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)