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1. (WO2008011441) PROCÉDÉ DE CONFIGURATION DE LA COMPENSATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/011441    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/073741
Date de publication : 24.01.2008 Date de dépôt international : 18.07.2007
CIB :
G11C 11/56 (2006.01), G11C 7/10 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 McCarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
LI, Yan [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LI, Yan; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & DeNiro, LLP, 575 Market Street, Suite 2500, San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
11/458,996 20.07.2006 US
11/458,995 20.07.2006 US
Titre (EN) METHOD FOR CONFIGURING COMPENSATION FOR COUPLING BETWEEN ADJACENT STORAGE ELEMENTS IN A NONVOLATILE MEMORY
(FR) PROCÉDÉ DE CONFIGURATION DE LA COMPENSATION
Abrégé : front page image
(EN)Shifts in the apparent charge stored on a floating gate (or other charge storing element) of a non-volatile memory cell can occur because of the coupling of an electric field based on the charge stored in adjacent floating gates (or other adjacent charge storing elements). To compensate for this coupling, the read or programming process for a given memory cell can take into account the programmed state of an adjacent memory cell. To determine whether compensation is needed, a process can be performed that includes sensing information about the programmed state of an adjacent memory cell (e.g., on an adjacent bit line or other location).
(FR)Selon la présente invention, des décalages dans la charge apparente stockée sur une grille flottante (ou autre élément de stockage de charge) d'une cellule de mémoire non volatile peuvent se produire à la suite du couplage d'un champ électrique reposant sur la charge stockée dans les grilles flottantes adjacentes (ou autres éléments de stockage de charge adjacents). Afin de compenser ce couplage, le procédé de lecture ou de programmation d'une cellule de mémoire donnée peut tenir compte de l'état programmé d'une cellule de mémoire adjacente. Pour déterminer si la compensation est nécessaire, on peut effectuer un procédé qui consiste à détecter les informations relatives à l'état programmé d'une cellule de mémoire adjacente (sur une ligne de bits adjacente ou un autre emplacement, par exemple).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)