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1. (WO2008011210) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AVEC EXTRACTEUR DE CHALEUR SOUS-CHARGÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/011210    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/067916
Date de publication : 24.01.2008 Date de dépôt international : 01.05.2007
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
CHUNG, Young Sir [KR/US]; (US) (US Seulement).
BAIRD, Robert W. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHUNG, Young Sir; (US).
BAIRD, Robert W.; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, Texas 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/490,922 21.07.2006 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH UNDER-FILLED HEAT EXTRACTOR
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AVEC EXTRACTEUR DE CHALEUR SOUS-CHARGÉ
Abrégé : front page image
(EN)Structure (40, 61-13, 61-15, 61-18, 61-19) and method (60-5... 60-19, 100, 200) are provided for a semiconductor device (40, 61-13, 61-15, 61-18, 61-19) with under-filled heat extractor(s) (46, 46', 78, 78'). The device (40, 61-13, 61-15, 61-18, 61-19) comprises a substrate (48, 72) with upper (37) and lower (63, 73) surfaces. A semiconductor (38, 72) is located proximate the upper surface (37) with a device region (26) therein. One or more cavities (67, 77) underlying the device region (26) are etched in the substrate (48, 72) from the lower surface (63, 73). A higher thermal conductivity material (68) versus the substrate (48, 72) fills the one or more cavities (67) and has an exposed surface (69, 69', 79, 79') underlying the device region (26) at or beyond the lower surface (63, 73). This provides the under-filled heat extractor(s) (46, 46', 78, 78'). A composite substrate (48) is preferred, having a first semiconductor (38) extending to the upper surface (37) containing the device region (26), a second semiconductor (42) extending to the lower surface (63) and an insulating layer (36) therebetween, wherein the one or more cavities (67) extend from the lower surface (63) to the insulating layer (36) and the etch depth (671) is self limiting.
(FR)L'invention concerne une structure (40, 61-13, 61-15, 61-18, 61-19) et un procédé (60-5,... 60-19, 100, 200) pour un dispositif semi-conducteur (40, 61-13, 61-15, 61-18, 61-19) avec un ou des extracteurs de chaleur sous-chargés (46, 46', 78, 78'). Le dispositif (40, 61-13, 61-15, 61-18, 61-19) comprend un substrat (48, 72) avec des surfaces supérieure (37) et inférieure (63, 73). Un semi-conducteur (38, 72) est situé à proximité de la surface supérieure (37) avec une région de dispositif (26) à l'intérieur de celui-ci. Une ou plusieurs cavités (67, 77) situées sous la région de dispositif (26) sont attaquées dans le substrat (48, 72) à partir de la surface inférieure (63, 73). Une matière (68) de conductivité thermique plus élevée que celle du substrat (48, 72) charge la ou les cavités (67) et a une surface exposée (69, 69', 79, 79') située en dessous de la région de dispositif (26) à ou au-delà de la surface inférieure (63, 73). Ceci fournit le ou les extracteurs de chaleur sous-chargés (46, 46', 78, 78'). Un substrat composite (48) est préféré, ayant un premier semi-conducteur (38) s'étendant vers la surface supérieure (37) contenant la région de dispositif (26), un second semi-conducteur (42) s'étendant vers la surface inférieure (63) et une couche d'isolation (36) entre celles-ci, la ou les cavités (67) s'étendent à partir de la surface inférieure (63) vers la couche d'isolant (36) et la profondeur d'attaque (671) est autolimitée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)