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1. (WO2008011043) LASERS À BASE DE AlGaInN À MOULURE EN QUEUE D'ARONDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/011043    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/016235
Date de publication : 24.01.2008 Date de dépôt international : 18.07.2007
CIB :
H01S 3/04 (2006.01)
Déposants : BINOPTICS CORPORATION [US/US]; 9 Brown Road, Ithaca, NY 14850 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : BEHFAR, Alex, A.; (US)
Mandataire : COOPER, George, M.; Jones, Tullar & Cooper, P.C., P.O. Box 2266 Eads Station, Arlington, VA 22202 (US)
Données relatives à la priorité :
60/831,439 18.07.2006 US
Titre (EN) ALGAINN-BASED LASERS WITH DOVETAILED RIDGE
(FR) LASERS À BASE DE AlGaInN À MOULURE EN QUEUE D'ARONDE
Abrégé : front page image
(EN)A process for fabricating lasers capable of emitting blue light wherein a GaN wafer is etched to form laser waveguides and mirrors using a temperature of over 500 °C and an ion beam in excess of 500 V in CAIBE, and wherein said laser waveguide has inwardly angled sidewalls.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de lasers capables d'émettre une lumière bleue, lequel procédé consiste à graver une tranche de GaN pour former des guides d'onde et des miroirs laser à une température supérieure à 500 °C et avec un faisceau d'ions en excès de 500 V selon la technique de gravure par faisceau d'ions assistée chimiquement (CAIBE), ledit guide d'onde laser présentant des parois latérales obliques orientées vers l'intérieur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)