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1. (WO2008011022) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRATS À DURÉE DE VIE DE PORTEURS AMÉLIORÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/011022    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/016192
Date de publication : 24.01.2008 Date de dépôt international : 17.07.2007
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01)
Déposants : DOW CORNING CORPORATION [US/US]; Dow Corning Corporation, Midland, MI 48686-0994 (US) (Tous Sauf US).
CHUNG, Gilyong [KR/US]; (US) (US Seulement).
LOBODA, Mark [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHUNG, Gilyong; (US).
LOBODA, Mark; (US)
Mandataire : TROY, Timothy, J.; Patent Department-Mail CO1232, Dow Corning Corporation, 2200 West Salzburg Road, Midland, MI 48686-0994 (US)
Données relatives à la priorité :
60/831,839 19.07.2006 US
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATES HAVING IMPROVED CARRIER LIFETIMES
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRATS À DURÉE DE VIE DE PORTEURS AMÉLIORÉE
Abrégé : front page image
(EN)This invention relates to a method for depositing silicon carbide material onto a substrate such that the resulting substrate has a carrier lifetime of 0.5 -1000 microseconds, the method comprising a. introducing a gas mixture comprising a chlorosilane gas, a carbon- containing gas, and hydrogen gas into a reaction chamber containing a substrate; and b. heating the substrate to a temperature of greater than 1000 °C but less than 2000 °C; with the proviso that the pressure within the reaction chamber is maintained in the range of 0.1 to 760 torr. This invention also relates to a method for depositing silicon carbide material onto a substrate such that the resulting substrate has a carrier lifetime of 0.5 -1000 microseconds, the method comprising a. introducing a gas mixture comprising a non-chlorinated silicon- containing gas, hydrogen chloride, a carbon-containing gas, and hydrogen gas into a reaction chamber containing a substrate; and b. heating the substrate to a temperature of greater than 1000 °C but less than 2000 °C; with the proviso that the pressure within the reaction chamber is maintained in the range of 0.1 to 760 torr.
(FR)La présente invention concerne un procédé de dépôt de matériau de carbure de silicium sur un substrat de façon que le substrat obtenu présente une durée de vie de porteurs comprise entre 0,5 et 1000 microsecondes. Ce procédé consiste : (a) à introduire un mélange gazeux comprenant un gaz de chlorosilane, un gaz contenant du carbone et un gaz d'hydrogène dans une chambre de réaction contenant un substrat; et (b) à faire chauffer le substrat à une température supérieure à 1000°C mais inférieure à 2000 °C, la pression à l'intérieur de la chambre de réaction étant maintenue entre 0,1 et 760 torrs. Cette invention concerne également un procédé de dépôt de matériau de carbure de silicium sur un substrat de façon que le substrat obtenu présente une durée de vie de porteurs comprise entre 0,5 et 1000 microsecondes. Ce procédé consiste : (a) à introduire un mélange gazeux comprenant un gaz contenant du silicium non chloré, du chlorure d'hydrogène, un gaz contenant du carbone et un gaz d'hydrogène dans une chambre de réaction contenant un substrat; et (b) à faire chauffer le substrat à une température supérieure à 1000°C mais inférieure à 2000 °C, la pression à l'intérieur de la chambre de réaction étant maintenue entre 0,1 et 760 torrs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)