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1. (WO2008010956) CRISTALLISATION DE SILICIUM AMORPHE UTILISANT DES FAISCEAUX COMBINÉS PROVENANT DE LASERS À SEMICONDUCTEUR POMPÉS OPTIQUEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/010956    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/015986
Date de publication : 24.01.2008 Date de dépôt international : 13.07.2007
CIB :
B23K 26/073 (2006.01)
Déposants : COHERENT, INC. [US/US]; 5100 Patrick Henry Drive, Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
GOVORKOV, Sergei, V. [US/US]; (US) (US Seulement).
AUSTIN, R., Russel [US/US]; (US) (US Seulement).
FERBER, Joerg [DE/US]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : GOVORKOV, Sergei, V.; (US).
AUSTIN, R., Russel; (US).
FERBER, Joerg; (DE)
Mandataire : STALLMAN, Michael, A.; Stallman & Pollock LLP, 353 Sacramento Street, Suite 2200, San Francisco, CA 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
11/487,798 17.07.2006 US
Titre (EN) AMORPHOUS SILICON CRYSTALLIZATION USING COMBINED BEAMS FROM OPTICALLY PUMPED SEMICONDUCTOR LASERS
(FR) CRISTALLISATION DE SILICIUM AMORPHE UTILISANT DES FAISCEAUX COMBINÉS PROVENANT DE LASERS À SEMICONDUCTEUR POMPÉS OPTIQUEMENT
Abrégé : front page image
(EN)An amorphous silicon layer on a glass substrate is crystallized by concentrating CW radiation from a number of OPS-lasers into a line of light on the layer. The layer is moved with respect to the line of light to control the dwell time of the line on any location on the layer and to crystallize an extended area of the layer.
(FR)Selon l'invention, une couche de silicium amorphe sur un substrat de verre est cristallisée en concentrant des rayonnements en ondes entretenues (CW) provenant d'un certain nombre de lasers à semi-conducteur pompés optiquement (OPS) en une ligne de lumière sur la couche. La couche est déplacée par rapport à la ligne de lumière afin de commander le temps de passage sur la cible de la ligne sur un quelconque emplacement sur la couche et de cristalliser une zone étendue de la couche.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)