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1. (WO2008010949) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE RÉALISATION D'UNE COUCHE D'OXYDE SUR DES SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/010949    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/015953
Date de publication : 24.01.2008 Date de dépôt international : 13.07.2007
CIB :
C23C 8/12 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01J 61/52 (2006.01)
Déposants : QC SOLUTIONS, INC. [US/US]; 22. Linnell Circle, Suite 101, Billerica, MA 01821 (US) (Tous Sauf US).
TSIDILKOVSKI, Edward [US/US]; (US) (US Seulement).
STEEPLES, Kenneth [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TSIDILKOVSKI, Edward; (US).
STEEPLES, Kenneth; (US)
Mandataire : TURANO, Thomas, A; Kirkpatrick & Lockhart Preston Gates Ellis LLP, State Street Financial Center, One Lincoln Street, Boston, MA 02111-2950 (US)
Données relatives à la priorité :
11/490,491 20.07.2006 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR FORMING AN OXIDE LAYER ON SEMICONDUCTORS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE RÉALISATION D'UNE COUCHE D'OXYDE SUR DES SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for forming an oxide layer on semiconductors using a combination of ultraviolet rays and heat. The apparatus comprises a chamber having a top surface and a bottom surface and defining a wafer holding cavity; an ultraviolet source at the top surface of said chamber; an infrared source at the bottom surface of the chamber; and an oxygen gas inlet for passing oxygen gas through the chamber. Oxygen gas entering the chamber through the oxygen gas inlet is ionized by ultraviolet rays from the ultraviolet source and reacts with the silicon wafer to create an oxide layer on the silicon wafer in the cavity. Infrared radiation from the infrared source heats the silicon wafer to accelerate the creation of the oxide layer on said silicon wafer.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un appareil servant à réaliser une couche d'oxyde sur des semi-conducteurs au moyen d'une combinaison de rayons ultraviolets et de chaleur. L'appareil comprend une chambre comportant une surface supérieure et une surface inférieure et définissant une cavité de support de plaquette ; une source d'ultraviolets sur la surface supérieure de ladite chambre ; une source infrarouge à la surface inférieure de la chambre ; et une admission d'oxygène gazeux permettant d'introduire de l'oxygène gazeux à travers la chambre. L'oxygène gazeux entrant dans la chambre par l'admission d'oxygène gazeux est ionisé par les rayons ultraviolets de la source d'ultraviolets et réagit avec la plaquette de silicium pour créer une couche d'oxyde sur la plaquette de silicium dans la cavité. Un rayonnement infrarouge de la source d'infrarouges chauffe la plaquette de silicium pour accélérer la création de la couche d'oxyde sur ladite couche de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)