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1. (WO2008010941) PROCÉDÉS AMÉLIORÉS DE DÉPÔT DE COUCHES ATOMIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/010941    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/015917
Date de publication : 24.01.2008 Date de dépôt international : 12.07.2007
CIB :
C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/06 (2006.01)
Déposants : THE BOC GROUP, INC. [US/US]; 575 Mountain Avenue, Murray Hill, NJ 07974 (US) (Tous Sauf US).
MA, Ce [US/US]; (US) (US Seulement).
MCFARLANE, Graham [CA/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Qing, Min [US/US]; (US) (US Seulement).
HELLY, Patrick, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MA, Ce; (US).
MCFARLANE, Graham; (US).
WANG, Qing, Min; (US).
HELLY, Patrick, J.; (US)
Mandataire : HEY, David, A.; The Boc Group, Inc., 575 Mountain Avenue, Murray Hill, NJ 07974 (US)
Données relatives à la priorité :
60/832,209 20.07.2006 US
Titre (EN) IMPROVED METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉS AMÉLIORÉS DE DÉPÔT DE COUCHES ATOMIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Improved methods for performing atomic layer deposition (ALD) are described. These improved methods provide more complete saturation of the surface reactive sites and provides more complete monolayer surface coverage at each half-cycle of the ALD process. In one embodiment, operating parameters are fixed for a given solvent based precursor. In another embodiment, one operating parameter, e.g. chamber pressure is altered during the precursor deposition to assure full surface saturation.
(FR)L'invention concerne des procédés améliorés de dépôt de couches atomiques (ALD). Lesdits procédés améliorés permettent une saturation plus complète des sites réactifs de surface et permettent un recouvrement monocouche de surface plus complet à chaque demi-cycle du procédé ALD. Dans un mode de réalisation, des paramètres de fonctionnement sont fixés pour un précurseur basé sur un solvant donné. Dans un autre mode de réalisation, un paramètre de fonctionnement, par ex., une pression de chambre est modifiée au cours du dépôt de précurseur afin d'assurer une saturation totale de la surface.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)