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1. (WO2008010882) source ionique avec rétreint dans l'électrode
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/010882    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/013717
Date de publication : 24.01.2008 Date de dépôt international : 12.06.2007
CIB :
H01J 7/24 (2006.01)
Déposants : GUARDIAN INDUSTRIES CORP. [US/US]; 2300 Harmon Road, Auburn Hills, MI 48326-1714 (US) (Tous Sauf US).
MURPHY, Nestor, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
ROCK, David [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MURPHY, Nestor, P.; (US).
ROCK, David; (US)
Mandataire : RHOA, Joseph, A.; Nixon & Vanderhye P.C., 901 North Glebe Road, 11th Floor, Arlington, VA 22203-1808 (US)
Données relatives à la priorité :
11/488,189 18.07.2006 US
Titre (EN) ION SOURCE WITH RECESS IN ELECTRODE
(FR) source ionique avec rétreint dans l'électrode
Abrégé : front page image
(EN)An ion source capable of generating and/or emitting an ion beam which may be used to deposit a layer on a substrate or to perform other functions is provided. The ion source includes at least one anode and at least one cathode. In certain example embodiments, the anode may. have a recess formed therein in which ions to be included in the ion beam may accelerate. Walls of the recess optionally may be insulated using, for example, ceramic. One or more holes may be provided to allow a supply of gas to flow into the recess, and those holes optionally may be tapered such that they narrow towards the recess. Thus, certain example embodiments produce an ion source having a higher energy efficiency (e.g., having increasing ion energy).
(FR)L'invention concerne une source ionique capable de générer et/ou d'émettre un faisceau ionique qui peut servir à déposer une couche sur un substrat ou à réaliser d'autres fonctions. La source ionique comporte au moins une anode et au moins une cathode. Dans certains exemples de modes de réalisation, l'anode peut présenter un rétreint dans lequel les ions à inclure dans le faisceau ionique peuvent accélérer. Les parois du rétreint peuvent être éventuellement isolées à l'aide, par exemple, de céramique. Un ou plusieurs trous peuvent être aménagés pour permettre à une arrivée de gaz de s'écouler dans le rétreint, et ces trous peuvent éventuellement être effilés pour se rétrécir vers le rétreint. Ainsi, certains exemples de modes de réalisation produisent une source ionique possédant une efficacité énergétique plus élevée (par exemple avec une énergie ionique croissante).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)