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1. (WO2008010541) PROCÉDÉ DE RÉDUCTION DE DISLOCATION DANS UN CRISTAL DE NITRURE DE GROUPE III ET SUBSTRAT POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/010541    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/064227
Date de publication : 24.01.2008 Date de dépôt international : 19.07.2007
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 33/00 (2006.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56 Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP) (Tous Sauf US).
DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010021 (JP) (Tous Sauf US).
SHIBATA, Tomohiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUMIYA, Shigeaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHIBATA, Tomohiko; (JP).
SUMIYA, Shigeaki; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg. 4-70 Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-196528 19.07.2006 JP
Titre (EN) METHOD FOR REDUCING DISLOCATION IN GROUP III NITRIDE CRYSTAL AND SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH
(FR) PROCÉDÉ DE RÉDUCTION DE DISLOCATION DANS UN CRISTAL DE NITRURE DE GROUPE III ET SUBSTRAT POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE
(JA) III族窒化物結晶の転位低減方法およびエピタキシャル成長用基板
Abrégé : front page image
(EN)An epitaxial substrate (10) composed of a single crystal base (1) and an upper layer (2) which is made of a group III nitride crystal film epitaxially formed on a major surface of the base is heated in a nitrogen atmosphere at a temperature not less than 1950˚C for one minute. As a result, the dislocation density in the group III nitride crystal is reduced to 1/10 or less of the dislocation density before the heat treatment, although a &ggr;-ALON layer is formed only at the interface between the base (1) and the upper layer (2). In addition, pits are reduced in the surface of the epitaxial substrate (10) after the heat treatment, and thus it is confirmed that a high-temperature short-time heat treatment is effective for improving crystal quality and surface flatness of a group III nitride crystal.
(FR)La présente invention concerne un substrat épitaxial (10) composé d'une base de cristal unique (1) et d'une couche supérieure (2) constituée d'un film de cristal de nitrure de groupe III formé de manière épitaxiale sur une surface majeure de la base ; il est chauffé dans une atmosphère de nitrogène à une température minimum de 1950°C pendant une minute. Il en résulte que la densité de délogement dans le cristal de nitrure de groupe III est réduite à 1/10 ou moins par rapport à la densité de délogement avant le traitement calorifique, bien qu'une couche &ggr;-ALON ne soit formée qu'au niveau de l'interface entre la base (1) et la couche supérieure (2). En outre, les piqûres sont réduites à la surface du substrat épitaxial (10) après le traitement calorifique et il est donc confirmé qu'un traitement de chaleur court à haute température est efficace pour améliorer la qualité du cristal et la planéité de surface d'un cristal de nitrure de groupe III.
(JA) 単結晶の基材1とその主面上にエピタキシャル形成されたIII族窒化物結晶膜からなる上部層2とで構成されたエピタキシャル基板10を、窒素雰囲気下で1950°C以上の温度で1分間加熱処理した。その結果、基材1と上部層2との界面にのみγ-ALON層が形成されたが、III族窒化物結晶内の転位密度が熱処理前の1/10以下となることが確認された。また、加熱処理後のエピタキシャル基板10の表面においてはピットも低減しており、高温かつ短時間の加熱処理がIII族窒化物結晶の結晶品質および表面平坦性の改善に効果があることが確認された。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)