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1. (WO2008010028) INTÉGRATION DE CONDENSATEUR MIM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/010028    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/054677
Date de publication : 24.01.2008 Date de dépôt international : 15.06.2006
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
SMITH, Brad [US/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : SMITH, Brad; (FR)
Mandataire : WHARMBY, Martin Angus; c/o Impetus IP Ltd, Freescale Semiconductor, Grove House, Lutyens Close, Chineham Court, Basingstoke Hampshire RG24 8AG (GB)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MIM CAPACITOR INTEGRATION
(FR) INTÉGRATION DE CONDENSATEUR MIM
Abrégé : front page image
(EN)An integrated metal-insulator-metal capacitor is formed so that there is an extension portion (63a) of its top plate (63) that does not face any portion of the bottom plate (61), and an extension portion (61 a) of its bottom plate (61) that does not face any portion of the top plate (63). Vias (VTP, VBP) connecting the MIM capacitor plates to conductors (75) in an overlying metallization layer are formed so as to contact the extension portions (61a, 63a) of the top and bottom plates (61, 63). Etching of the via holes is simplified because it is permissible for the via holes to punch through the extension portions (61a, 61c) of the capacitor plates. The bottom plate (61) of the MIM capacitor is inlaid. The top plate (63) of the MIM capacitor may be inlaid.
(FR)L'invention porte sur un condensateur métal-isolant-métal (MIM) intégré qui est formé de telle sorte qu'une partie d'extension (63a) sur sa plaque supérieure (63) ne fait face à aucune partie de la plaque inférieure (61), et qu'une partie d'extension (61a) de sa plaque inférieure (61) ne fait face à aucune partie de la plaque supérieure (63). Des trous traversants (VTP, VBP) connectant les plaques de condensateur (MIM) à des conducteurs (75) situés dans une couche de métallisation supérieure sont formés afin d'être en contact avec les parties d'extension (61a, 63a) des plaques supérieure et inférieure (61, 63). L'attaque chimique des trous traversants est simplifiée parce que lesdits trous traversants peuvent traverser les parties d'extension (61a, 61c) des plaques de condensateur. La plaque inférieure (61) du condensateur MIM est incrustée. La plaque supérieure (63) du condensateur MIM peut être incrustée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)