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1. (WO2008008977) MATÉRIAUX NANOCRISTALLINS POUR APPLICATIONS ÉLECTRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/008977    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/073498
Date de publication : 17.01.2008 Date de dépôt international : 13.07.2007
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), A61K 9/14 (2006.01), B05D 5/12 (2006.01), B05D 3/02 (2006.01), B05D 1/12 (2006.01)
Déposants : NANOSCALE CORPORATION [US/US]; 1310 Research Park Drive, Manhattan, KS 66502 (US) (Tous Sauf US).
JONES, David [US/US]; (US) (US Seulement).
WENECKI, Slawomir [PL/US]; (US) (US Seulement).
DARGAR, Shivanee [IN/US]; (US) (US Seulement).
MILLETTE, Justin [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JONES, David; (US).
WENECKI, Slawomir; (US).
DARGAR, Shivanee; (US).
MILLETTE, Justin; (US)
Mandataire : SKOCH, Gregory, J.; Hovey Williams LLP, 10801 Mastin Boulevard, Suite 1000, 84 Corporate Woods, Overland Park, KS 66210 (US)
Données relatives à la priorité :
60/807,259 13.07.2006 US
Titre (EN) NANOCRYSTALLINE MATERIALS FOR ELECTRONIC APPLICATIONS
(FR) MATÉRIAUX NANOCRISTALLINS POUR APPLICATIONS ÉLECTRONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Dielectric materials comprising nanocrystalline or nanoparticulate metal oxides or metal carbonates having enhanced dielectric constant values are provided Specifically the dielectric materials exhibit high dielectric constant values as shown in FIGURE 3 at low frequencies approaching the DC limit The dielectric materials also exhibit low dielectric loss factors and high voltage breakdown limits making them well suited for use in capacitors, particularly high energy density capacitors.
(FR)La présente invention concerne des matériaux diélectriques qui comprennent des oxydes de métal ou carbonates de métal nanocristallins ou nanoparticulaires avec des valeurs constantes diélectriques optimisées. Particulièrement, les matériaux diélectriques présentent de hautes valeurs constantes diélectriques à des fréquences basses qui s'approchent de la limite CC. Les matériaux diélectriques présentent également de faibles facteurs de perte diélectrique et de hautes limites de rigidité diélectrique qui les rendent très appropriés pour être utilisés dans des condensateurs, en particulier des condensateurs de haute densité d'énergie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)