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1. (WO2008008562) STRUCTURE À DIODE LUMINEUSE VERTICALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/008562    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/068513
Date de publication : 17.01.2008 Date de dépôt international : 09.05.2007
CIB :
H01L 27/15 (2006.01)
Déposants : SEMI-PHOTONICS CO., LTD. [--/--]; 7F, No. 13, Ke Jung Rd., Chu-Nan Site, Hsinchu Science Park, Chu-Nan 350, Miao-Li County (TW) (Tous Sauf US).
TRAN, Chuong, Anh [US/--]; (TW) (US Seulement)
Inventeurs : TRAN, Chuong, Anh; (TW)
Mandataire : READ, Randol, W.; Patterson & Sheridan, L.L.P., 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, TX 77056-6582 (US)
Données relatives à la priorité :
11/382,392 09.05.2006 US
Titre (EN) VERTICAL LIGHT EMITTING DIODE DEVICE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE À DIODE LUMINEUSE VERTICALE
Abrégé : front page image
(EN)A vertical light-emitting diode (VLED) structure that may impart increased luminous efficiency over conventional LEDs and VLEDs is described. As additional benefits, some embodiments may have less susceptibility to electrostatic discharge (ESD) and higher manufacturing yields than conventional devices. To accomplish these benefits, embodiment of the invention may utilize a spacer or other means to separate the p-doped layer from the active layer, thereby increasing the distance between the active layer and the reflective layer within the VLED structure.
(FR)L'invention concerne une structure à diode lumineuse verticale (VLED) présentant une efficacité lumineuse supérieure à celle des LED et des VLED classiques. Certains modes de réalisation de l'invention offrent en outre l'avantage d'être moins sensibles aux décharges électrostatiques (ESD) et de bénéficier d'un meilleur rendement de fabrication que les dispositifs classiques. A cette fin, un mode de réalisation de l'invention peut utiliser un élément d'espacement ou un autre moyen pour séparer la couche dopée P de la couche active et augmenter ainsi la distance entre la couche active et la couche réfléchissante au sein de la structure VLED.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)