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1. (WO2008008477) ARCHITECTURES ET CRITÈRES POUR LA CONCEPTION DE CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES ORGANIQUES D'UNE EFFICACITÉ ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/008477    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/015967
Date de publication : 17.01.2008 Date de dépôt international : 11.07.2007
CIB :
H01L 51/42 (2006.01), H01L 27/30 (2006.01)
Déposants : THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY [US/US]; P.o. Box 36, Princeton, NJ 08544 (US) (Tous Sauf US).
THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN [US/US]; 2071 Wolverine Tower, 3003 S. State Street, Ann Arbor, MI 48109-1280 (US) (Tous Sauf US).
RAND, Barry [US/US]; (US) (US Seulement).
FORREST, Stephen, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
BURK, Diana, Pendergrast [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RAND, Barry; (US).
FORREST, Stephen, R.; (US).
BURK, Diana, Pendergrast; (US)
Mandataire : WON, Joon Kouh; Duane Morris LLP, PO Box 5203, Hamilton, NJ 08619-2304 (US)
Données relatives à la priorité :
11/486,163 14.07.2006 US
Titre (EN) ARCHITECTURES AND CRITERIA FOR THE DESIGN OF HIGH EFFICIENCY ORGANIC PHOTOVOLTAIC CELLS
(FR) ARCHITECTURES ET CRITÈRES POUR LA CONCEPTION DE CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES ORGANIQUES D'UNE EFFICACITÉ ÉLEVÉE
Abrégé : front page image
(EN)An organic photovoltaic cell includes an anode and a cathode, and a plurality of organic semiconductor layers between the anode and the cathode. At least one of the anode and the cathode is transparent. Each two adjacent layers of the plurality of organic semiconductor layers are in direct contact. The plurality of organic semiconductor layers includes an intermediate layer consisting essentially of a photoconductive material, and two sets of at least three layers. A first set of at least three layers is between the intermediate layer and the anode. Each layer of the first set consists essentially of a different organic semiconductor material having a higher LUMO and a higher HOMO, relative to the material of an adjacent layer of the plurality of organic semiconductor layers closer to the cathode. A second set of at least three layers is between the intermediate layer and the cathode. Each layer of the second set consists essentially of a different organic semiconductor material having a lower LUMO and a lower HOMO, relative to the material of an adjacent layer of the plurality of organic semiconductor layers closer to the anode.
(FR)La présente invention concerne une cellule photovoltaïque organique qui comprend une anode et une cathode, et une pluralité de couches semi-conductrices organiques entre l'anode et la cathode. Au moins une de l'anode et de la cathode est transparente. Chacune des deux couches adjacentes d'une pluralité de couches semi-conductrices organiques sont en contact direct. La pluralité de couches semi-conductrices organiques comprend une couche intermédiaire se composant essentiellement d'un matériau photoconducteur, et deux groupes d'au mois trois couches. Un premier groupe d'au moins trois couches est entre la couche intermédiaire et l'anode. Chaque couche du premier groupe se compose essentiellement d'un matériau semi-conducteur organique ayant une LUMO supérieure et une HOMO supérieure, par rapport au matériau d'une couche adjacente de la pluralité de couches semi-conductrices organiques plus proches de la cathode. Un deuxième groupe d'au moins trois couches est entre la couche intermédiaire et la cathode. Chaque couche du deuxième ensemble se compose essentiellement d'un matériau semi-conducteur organique différent ayant une LUMO inférieure et une HOMO inférieure, par rapport au matériau d'une couche adjacente de la pluralité de couches semi-conductrices organiques plus proches de l'anode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)