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1. (WO2008008159) GRAVURE CHIMIQUE INDUITE PAR ÉLECTRONS POUR RÉPARATION DE CIRCUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/008159    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/014452
Date de publication : 17.01.2008 Date de dépôt international : 21.06.2007
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), G03F 1/00 (2006.01), H01J 37/305 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way, Boise, Idaho 83716-9632 (US) (Tous Sauf US).
WILLIAMSON, Mark, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
SANDHU, Gurtej, S. [GB/US]; (US) (US Seulement).
ARRINGTON, Justin, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WILLIAMSON, Mark, J.; (US).
SANDHU, Gurtej, S.; (US).
ARRINGTON, Justin, R.; (US)
Mandataire : CLISE, Timothy, B.; Schwegman, Lundberg & Woessner, P.A., P.O. Box 2938, Minneapolis, Minnesota 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
11/483,933 10.07.2006 US
Titre (EN) ELECTRON INDUCED CHEMICAL ETCHING AND DEPOSITION FOR CIRCUIT REPAIR
(FR) GRAVURE CHIMIQUE INDUITE PAR ÉLECTRONS POUR RÉPARATION DE CIRCUIT
Abrégé : front page image
(EN)A method of imaging and repairing defects on and below the surface of an integrated circuit (IC) is described. The method may be used in areas as small as one micron in diameter, and may remove the topmost material in the small spot, repeating with various layers, until a desired depth is obtained. An energetic beam, such as an electron beam, is directed at a selected surface location. The surface has an added layer of a solid, fluid or gaseous reactive material, such as a directed stream of a fluorocarbon, and the energetic beam disassociates the reactive material in the region of the beam into radicals that chemically attack the surface. After the defect location is exposed, the method uses the energetic beam to etch undesired materials, and deposit various appropriate materials to fill gaps, and restore the IC to an operational condition.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de créer des images et de réparer les défauts sur et sous la surface d'un circuit intégré (CI). Le procédé peut être utilisé dans des zones dont le diamètre est aussi petit qu'un micron, et peut retirer le matériau supérieur dans le petit point, répétant l'opération sur diverses couches, jusqu'à l'obtention d'une profondeur désirée. Un faisceau énergétique, comme un faisceau d'électrons, est dirigé vers une position sélectionnée sur la surface. La surface comporte une couche ajoutée d'un matériau réactif solide, fluide ou gazeux, comme un courant dirigé de fluorocarbone, et le faisceau énergétique dissocie le matériau réactif dans la zone du faisceau en radicaux qui attaquent chimiquement la surface. Après avoir exposé la position des défauts, le procédé utilise le faisceau énergétique pour graver les matériaux indésirables, et déposer divers matériaux appropriés pour remplir les espaces vides et rendre au CI ses conditions de fonctionnement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)