WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008008157) GRAVURE CHIMIQUE PAR ÉLECTRONS DESTINÉE À DÉTECTER DES DÉFAUTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/008157    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/014446
Date de publication : 17.01.2008 Date de dépôt international : 21.06.2007
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way, Boise, Idaho 83716-9632 (US) (Tous Sauf US).
WILLIAMSON, Mark J. [US/US]; (US) (US Seulement).
JOHNSON, Paul M. [US/US]; (US) (US Seulement).
LYONSMITH, Shawn D. [US/US]; (US) (US Seulement).
SANDHU, Gurtej S. [GB/US]; (US) (US Seulement).
ARRINGTON, Justin R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WILLIAMSON, Mark J.; (US).
JOHNSON, Paul M.; (US).
LYONSMITH, Shawn D.; (US).
SANDHU, Gurtej S.; (US).
ARRINGTON, Justin R.; (US)
Mandataire : CLISE, Timothy B.; Schwegman, Lundberg & Woessner, P.A., P.O. Box 2938, Minneapolis, Minnesota 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
11/483,800 10.07.2006 US
Titre (EN) ELECTRON INDUCED CHEMICAL ETCHING FOR DETECTING DEFECTS
(FR) GRAVURE CHIMIQUE PAR ÉLECTRONS DESTINÉE À DÉTECTER DES DÉFAUTS
Abrégé : front page image
(EN)A method of imaging and identifying defects and contamination on the surface of an integrated circuit is described. The method may be used on areas smaller than one micron in diameter. An energetic beam, such as an electron beam, is directed at a selected IC location having a layer of a solid, fluid or gaseous reactive material formed over the surface. The energetic beam disassociates the reactive material in the region into chemical radicals that either chemically etch the surface preferentially, or deposit a thin layer of a conductive material over the local area around the energetic beam. The surface may be examined as various layers are selectively etched to decorate defects and/or as various layers are locally deposited in the area around the energetic beam. SEM imaging and other analytic methods may be used to identify the problem more easily.
(FR)L'invention concerne un procédé d'imagerie et d'identification de défauts et de la contamination sur la surface d'un circuit intégré. Le procédé peut être utilisé sur des zones plus petites qu'un micron en diamètre. Un faisceau energétique, tel qu'un faisceau d'électrons, est dirigé vers un emplacement IC sélectionné ayant une couche d'un matériau réactif solide, fluide ou gazeux formé sur la surface. Le faisceau énergétique disassocie le matériau réactif dans la région en radicaux chimiques qui sont soit gravés chimiquement sur la surface de préférence, soit qui déposent une couche mince d'un matériau conducteur sur la zone local autour du faisceau énergétique. La surface peut être examinée alors que diverses couches sont gravées sélectivement pour décorer des défauts et/ou alors que diverses couches sont déposées localement dans la zone autour du faisceau énergétique. Il est possible d'utiliser l'imagerie MEB et d'autres procédés analytiques pour identifier plus facilement le problème.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)