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1. (WO2008008156) GRAVURE CHIMIQUE INDUITE PAR ÉLECTRONS POUR DIAGNOSTIC DE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/008156    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/014375
Date de publication : 17.01.2008 Date de dépôt international : 20.06.2007
CIB :
G01R 31/28 (2006.01), G01N 1/32 (2006.01), H01J 37/305 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, Boise, ID 83716-9632 (US) (Tous Sauf US).
WILLIAMSON, Mark, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
SANDHU, Gurtej, S. [GB/US]; (US) (US Seulement).
ARRINGTON, Justin, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WILLIAMSON, Mark, J.; (US).
SANDHU, Gurtej, S.; (US).
ARRINGTON, Justin, R.; (US)
Mandataire : CLISE, Timothy, B.; Schwegman, Lundberg & Woessner, P.A., P.O. Box 2938, Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
11/483,878 10.07.2006 US
Titre (EN) ELECTRON INDUCED CHEMICAL ETCHING FOR DEVICE DIAGNOSIS
(FR) GRAVURE CHIMIQUE INDUITE PAR ÉLECTRONS POUR DIAGNOSTIC DE DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)A method of imaging and identifying materials, contamination, fabrication errors, and defects on and below the surface of an integrated circuit (IC) is described. The method may be used in areas smaller than one micron in diameter, and may remove IC layers, either selectively or non-selectively, until a desired depth is obtained. An energetic beam, such as an electron beam, is directed at a selected IC location. The IC has a layer of a solid, fluid or gaseous reactive material, such as a directed stream of a fluorocarbon, formed over the surface of the IC. The energetic beam disassociates the reactive material in or on the region into chemical radicals that chemically attack the surface. The surface may be examined as various layers are selectively removed in the controlled area spot etch, and SEM imaging may then be used to diagnose problems.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de créer des images de, et d'identifier, les erreurs de fabrication, de contamination et de matériaux et les défauts sur et sous la surface d'un circuit intégré (CI). Le procédé peut être utilisé dans des zones dont le diamètre est inférieur à un micron, et peut retirer des couches de CI, sélectivement ou non, jusqu'à l'obtention d'une profondeur désirée. Un faisceau énergétique, comme un faisceau d'électrons, est dirigé vers une position sélectionnée du CI. Le CI comporte une couche d'un matériau réactif solide, fluide ou gazeux, comme un courant dirigé de fluorocarbone, disposée à la surface du CI. Le faisceau énergétique dissocie le matériau réactif dans ou sur la zone en radicaux chimiques qui attaquent chimiquement la surface. La surface peut être examinée au fur et à mesure que les couches successives sont retirées sélectivement dans la gravure ponctuelle en aire contrôlée, et une imagerie SEM peut alors être utilisée pour diagnostiquer les problèmes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)