WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008007944) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA D'UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/007944    N° de la demande internationale :    PCT/NL2006/000355
Date de publication : 17.01.2008 Date de dépôt international : 12.07.2006
CIB :
H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN [NL/NL]; Den Dolech 2, NL-5612 AZ Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
KESSELS, Wilhelmus, Mathijs, Marie [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
VAN DE SANDEN, Mauritius, Cornelis, Maria [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
BLAUW, Michiel, Alexander [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
ROOZEBOOM, Freddy [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : KESSELS, Wilhelmus, Mathijs, Marie; (NL).
VAN DE SANDEN, Mauritius, Cornelis, Maria; (NL).
BLAUW, Michiel, Alexander; (NL).
ROOZEBOOM, Freddy; (NL)
Mandataire : JILDERDA, Anne, Ayolt; Octrooibureau LIOC B.V., Maliebaan 46, P.O. Box 13363, NL-3507 LJ Utrecht (NL)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR TREATING A SUBSTRATE BY MEANS OF A PLASMA
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA D'UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)In a method and device for treating a substrate by means of a plasma, the plasma is generated and accelerated at substantially sub-atmospheric pressure between a cathode and an anode of a plasma source (1) in a channel of system of at least one conductive cascaded plate between said cathode and anode. Said plasma is released from said plasma source to a treatment chamber (2) in which said substrate (9) is exposed to said plasma. The treatment chamber is sustained at a reduced, near vacuum pressure during operation. An alternating bias voltage is applied between said substrate and said plasma during said exposure.
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif de traitement au plasma d'un substrat, consistant à générer le plasma et à l'accélérer à une pression sensiblement sous-atmosphérique entre une cathode et une anode d'une source de plasma (1) dans un passage d'un système comportant au moins une plaque conductrice en cascade placée entre la cathode et l'anode. Le plasma émis par la source de plasma est introduit dans une chambre de traitement (2) pour exposer le substrat (9) contenu dans celle-ci. La chambre de traitement est maintenue à une pression réduite proche du vide pendant toute la durée de l'opération. Une tension de polarisation alternative est appliquée entre le substrat et le plasma au cours de l'exposition.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)