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1. (WO2008007748) dispositif semi-conducteur
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/007748    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/063926
Date de publication : 17.01.2008 Date de dépôt international : 12.07.2007
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (Tous Sauf US).
FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE [JP/JP]; 586-9, Aza Ushigafuchi, Akatsuka, Tsukuba-shi, Ibaraki 3050062 (JP) (Tous Sauf US).
OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TERAMOTO, Akinobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KURODA, Rihito [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHMI, Tadahiro; (JP).
TERAMOTO, Akinobu; (JP).
KURODA, Rihito; (JP)
Mandataire : IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg. 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-192440 13.07.2006 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) dispositif semi-conducteur
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor device, in which the degree of flatness of 0.3 nm or less in terms of a peak-to-valley (P-V) value is realized by rinsing a silicon surface with hydrogen-added ultrapure water in a light-screened state and in a nitrogen atmosphere and in which a contact resistance of 10-11 Ωcm2 or less is realized by setting a work function difference of 0.2 eV or less between an electrode and the silicon. The semiconductor device thus provided can operate on a frequency of 10 GHz or higher.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur, dans lequel le degré de planéité de 0,3 nm ou moins en termes d'une profondeur de rugosité est réalisé par le rinçage d'une surface de silicium avec de l'eau ultra pure additionnée d'hydrogène à l'abri de la lumière et dans une atmosphère d'azote et dans lequel une résistance de contact de 10-11 Ωcm2 ou moins est réalisée en paramétrant une différence de travail d'extraction de 0,2 eV ou moins entre une électrode et le silicium. Le dispositif semi-conducteur ainsi produit peut fonctionner à une fréquence de 10 GHz ou plus.
(JA) 遮光状態で窒素雰囲気において、シリコン表面を水素添加超純水で洗浄することにより、ピーク・トゥ・バレイ(P-V)値で、0.3nm以下の平坦度を実現すると共に、電極とシリコンとの間の仕事関数差を0.2eV以下にすることにより、接触抵抗を10-11Ωcm2以下を実現する。これによって、10GHz以上の周波数で動作可能な半導体装置を得ることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)