WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008007675) procédé de formation de film, procédé de nettoyage, et dispositif de formation de film
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/007675    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/063754
Date de publication : 17.01.2008 Date de dépôt international : 10.07.2007
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/14 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
MURAKAMI, Seishi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOIZUMI, Masaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ASHIZAWA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOIZUMI, Masato [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MURAKAMI, Seishi; (JP).
KOIZUMI, Masaki; (JP).
ASHIZAWA, Hiroaki; (JP).
KOIZUMI, Masato; (JP)
Mandataire : TAKAYAMA, Hiroshi; Hirakawacho Tsujita Bldg. 2F 1-7-20 Hirakawacho, Chiyoda-ku Tokyo 1020093 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-190882 11.07.2006 JP
Titre (EN) FILM FORMATION METHOD, CLEANING METHOD, AND FILM FORMATION DEVICE
(FR) procédé de formation de film, procédé de nettoyage, et dispositif de formation de film
(JA) 成膜方法、クリーニング方法、および成膜装置
Abrégé : front page image
(EN)A treatment gas is supplied to form a Ti-based film on a predetermined number of wafers (W) while setting a temperature of a susceptor (2) in a chamber (1) to a predetermined temperature. After this, the interior of the chamber (1) containing no wafers (W) is cleaned by discharging Cl2 gas as a cleaning gas from a shower head (10) into the chamber (1). During this cleaning, the temperature of each of the susceptor (2), the shower head (10), and the wall portion of the chamber (1) is independently controlled so that the temperature of the susceptor (2) is not lower than the decomposition start temperature of Cl2 gas and the temperature of the shower head (10) and the wall portion of the chamber (1) is not higher than the decomposition start temperature.
(FR)Selon l'invention, on injecte un gaz de traitement pour constituer un film à base Ti sur un nombre prédéterminé de galettes (W) tout en réglant une température d'un suscepteur (2) dans une chambre (1) à une température prédéterminée. Ensuite, l'intérieur de la chambre (1) ne contenant pas de galettes (W) est nettoyé par décharge de gaz Cl2 comme gaz de nettoyage à partir d'un pommeau de douche (10) dans la chambre (1). Pendant ce nettoyage, la température du suscepteur (2), du pommeau de douche (10), et de la partie murale de la chambre (1) est régulée indépendamment de sorte que la température du suscepteur (2) n'est pas inférieureà la température de début de décomposition du gaz Cl2 et que la température du pommeau de douche (10) et de la partie murale de la chambre (1) ne dépasse pas la température de début de décomposition.
(JA) チャンバ1内のサセプタ2の温度を所定温度に設定しつつ処理ガスを供給して所定枚数のウエハWに対してTi系膜を成膜し、その後、チャンバ1内にウエハWが存在しない状態で、シャワーヘッド10からチャンバ1内にクリーニングガスとしてClガスを吐出させてチャンバ1内をクリーニングするにあたり、サセプタ2の温度がClガスの分解開始温度以上となり、また、シャワーヘッド10およびチャンバ1の壁部の温度が分解開始温度以下になるように、サセプタ2、シャワーヘッド10およびチャンバ1の壁部をそれぞれ独立に温度制御する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)