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1. (WO2008007327) CIRCUIT INTÉGRÉ, TRANSPONDEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CIRCUIT INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN TRANSPONDEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/007327    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/052692
Date de publication : 17.01.2008 Date de dépôt international : 09.07.2007
CIB :
H01L 23/00 (2006.01), G06K 19/077 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [--/NL]; High Tech Campus 60, NL-EINDHOVEN 5656 Ag (NL) (Tous Sauf US).
ROGY, Reinhard [AT/AT]; (AT) (US Seulement).
ZENZ, Christian [AT/AT]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : ROGY, Reinhard; (AT).
ZENZ, Christian; (AT)
Mandataire : RÖGGLA, Harald; NXP Semiconductors Austria GmbH, Intellectual Property Department, Gutheil-Schoder-Gasse 8-12, A-1102 Vienna (AT)
Données relatives à la priorité :
06116899.3 10.07.2006 EP
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUIT, TRANSPONDER, METHOD OF PRODUCING AN INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF PRODUCING A TRANSPONDER
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ, TRANSPONDEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CIRCUIT INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN TRANSPONDEUR
Abrégé : front page image
(EN)In a method of producing an integrated circuit (1, 91, 131) for a transponder (2, 112) a photoresist layer (11) is applied on a first surface (8) of a semiconductor device (3). A patterned mask (14, 94) is generated by lithographically patterning the photoresist layer (11), so that the photoresist layer (11) comprises at least one first via (12, 13). The patterned mask (14, 94) comprises a second surface (17) facing away from the first surface (8). The first via (12, 13) is filled with a first bump (15, 16) by depositing the first bump (12, 13) on the first surface (8). A conductive structure (18, 19, 98, 99, 132) is formed on the second surface (17) of the patterned mask (14, 94). The conductive structure (18, 19, 98, 99, 132) is electrically connected to the first bump (15, 16).
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de produire un circuit intégré (1, 91, 131) pour un transpondeur (2, 112). Le procédé selon l'invention consiste : à appliquer une couche de photorésine (11) sur une première surface (8) d'un dispositif semi-conducteur (3); à générer un masque à motifs (14, 94) en formant par lithographie des motifs sur la couche de photorésine (11), de façon que cette dernière soit dotée d'au moins un trou d'interconnexion (12, 13). Le masque à motifs (14, 94) possède une seconde surface (17) opposée à la première surface (8). Le procédé consiste aussi : à remplir le premier trou d'interconnexion (12, 13) avec une première bosse (15, 16), en déposant ladite bosse (15, 16) sur la première surface (8); à former une structure conductrice (18, 19, 98, 99, 132) sur la seconde surface (17) du masque à motifs (14, 94); et à relier électriquement la structure conductrice (18, 19, 98, 99, 132) à la première bosse (15, 16).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)