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1. (WO2008007257) CIRCUIT INTÉGRÉ ET ASSEMBLAGE ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/007257    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/052289
Date de publication : 17.01.2008 Date de dépôt international : 15.06.2007
CIB :
H01L 27/02 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
DIJKHUIS, Johannes, F. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
DE GRAAUW, Antonius, J., M. [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : DIJKHUIS, Johannes, F.; (NL).
DE GRAAUW, Antonius, J., M.; (NL)
Mandataire : PENNINGS, Johannes, F., M.; c/o NXP Semiconductors, IP Department, HTC 60 1.31 Prof Holstlaan 4, NL-5656 AG Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
06115750.9 20.06.2006 EP
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUIT AND ASSEMBLY THEREWITH
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ ET ASSEMBLAGE ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit suitable for use at high frequencies and comprising a first capacitor having an input and an output, as well as a ground connection, wherein the capacitor is ESD-protected through an resistor between the capacitor output and the ground connection, which resistor has a resistance value that is sufficiently high so as to prevent any substantial influence on RF performance of the ground connection.
(FR)L'invention concerne un circuit intégré convenant pour une utilisation à hautes fréquences qui comprend un premier condensateur possédant une entrée et une sortie, ainsi qu'une connexion à la masse, ce condensateur étant protégé contre les décharges électrostatiques par une résistance située entre la sortie du condensateur et la connexion à la masse, cette résistance possédant une valeur de résistance suffisamment élevée pour prévenir toute influence importante sur la performance RF de la connexion à la masse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)