WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008006641) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURES MEMS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/006641    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/054988
Date de publication : 17.01.2008 Date de dépôt international : 23.05.2007
CIB :
B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
SCHEURLE, Andreas [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SCHEURLE, Andreas; (DE)
Représentant
commun :
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2006 032 195.2 12.07.2006 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MEMS-STRUKTUREN
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF MEMS STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURES MEMS
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von MEMS-Strukturen mit mindestens einer Funktionsschicht aus Silizium, die Strukturen enthält, die durch Entfernen einer Opferschicht freigestellt werden, wobei mindestens eine Opferschicht und mindestens eine Funktionsschicht so abgeschieden werden, dass sie einkristallin aufwachsen, und die Opferschicht aus einer Silizium-Germanium-Mischschicht besteht.
(EN)The invention relates to a method for the production of MEMS structures with at least one functional layer of silicon that contains structures that are released by the removal of a sacrificial layer, with at least one sacrificial layer and at least one functional layer, precipitated in such a way that they grow monocrystalline, and with the sacrificial layer consisting of a mixed silicon-germanium layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de structures MEMS comprenant au moins une couche fonctionnelle en silicium contenant des structures, qui sont libérées par l'élimination d'une couche sacrificielle. Au moins une couche sacrificielle et au moins une couche fonctionnelle sont séparées de telle sorte qu'elles se développent de manière monocristalline, et la couche sacrificielle est composée d'une couche composite de silicium et germanium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)