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1. (WO2008006340) PROCÉDÉ DE LIAISON RÉSISTANT À LA CHALEUR ET AUX IMPACTS D'UN SEMI-CONDUCTEUR PAR PRESSAGE À CHAUD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/006340    N° de la demande internationale :    PCT/DE2007/001174
Date de publication : 17.01.2008 Date de dépôt international : 03.07.2007
CIB :
H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : DANFOSS SILICON POWER GMBH [DE/DE]; Heinrich-Hertz-Strasse 2, 24837 Schleswig (DE) (Tous Sauf US).
KOCK, Mathias [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PALM, Gerhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
EISELE, Ronald [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KOCK, Mathias; (DE).
PALM, Gerhard; (DE).
EISELE, Ronald; (DE)
Mandataire : BIEHL, Christian; Boehmert & Boehmert, Niemannsweg 133, 24105 Kiel (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2006 033 073.0 14.07.2006 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HITZE- UND STOSSFESTEN VERBINDUNG EINES HALBLEITERS DURCH DRUCKSINTERUNG
(EN) METHOD FOR HEAT- AND IMPACT-RESISTANT CONNECTION OF A SEMICONDUCTOR BY MEANS OF PRESSURE SINTERING
(FR) PROCÉDÉ DE LIAISON RÉSISTANT À LA CHALEUR ET AUX IMPACTS D'UN SEMI-CONDUCTEUR PAR PRESSAGE À CHAUD
Abrégé : front page image
(DE)Verfahren zur Herstellung einer Drucksinterverbindung eines Halbleiter-Bausteins (22) auf einem Verbindungspartner aus der Gruppe: Substrat, weiterem Halbleiter oder Schaltungsträger, und zur Drucksinterung vorbereiteter Halbleiter-Baustein (22) wobei: vor dem Vereinzeln eines Halbleiter-Wafers (14) in einzelne Halbleiter-Bausteine (22) auf wenigstens die Bereiche der später sinter-zu-verbindenden einzelnen Halbleiter-Bausteine (22) eine Metallpulversuspension (10) pastös aufgebracht wird; die Suspensionsschicht unter Ausgasen der flüchtigen Bestandteile und unter Erzeugung einer porösen Schicht getrocknet wird; die poröse Schicht unter Aufbringung von Druck und Temperatur für eine Wafer-Silizum-Säge sägefest vorverdichtet wird; die Halbleiter-Bausteine (22) mit auf ihnen befindlichen passend großen Sintermaterial-Schichten vereinzelt werden; die Halbleiter-Bausteine auf der Verbindungsunterlage ausgerichtet werden; und die Endsinterung unter Ausbildung einer festen Verbindung durch Eindiffusion/Einbringen von Sintermaterial-Atomen in die jeweiligen Verbindungspartner erzeugt wird.
(EN)Method for producing a pressure sintering connection for a semiconductor chip (22) on a connecting partner from the following group: substrate, further semiconductor or circuit carrier, and for pressure sintering prepared semiconductor chips (22), where: before a semiconductor wafter (14) is split into individual semiconductor chips (22), a metal powder suspension (10) is applied in highly viscous form to at least the areas of the individual semiconductor chips (22) which are later to be connected by sintering; the suspension layer is dried by out-gassing the volatile constituents and by producing a porous layer; the porous layer is pre-compressed by applying pressure and heat so that it is resistant to the sawing of a wafer silicon saw; the semiconductor chips (22) are separated using sintering material layers of suitable size which are on them; the semiconductor chips are oriented on the connection substrate; and the final sintering is produced to form a permanent connection by diffusing/introducing sintering material atoms into the respective connecting partners.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une liaison par pressage à chaud d'un module semi-conducteur (22) sur un partenaire de liaison sélectionné parmi le groupe : substrat, autre semi-conducteur ou support de circuit, et de pressage à chaud du module semi-conducteur (22) préparé. Dans un tel procédé, une suspension de poudre métallique (10) est appliquée sous forme pâteuse avant la séparation d'une plaquette semi-conductrice (14) en modules semi-conducteurs (22) isolés sur au moins les zones des modules semi-conducteurs (22) isolés à lier par frittage ultérieurement ; la couche de suspension est séchée par les gaz extérieurs des éléments volatils et par production d'une couche poreuse ; la couche poreuse est pré-étanchéifiée avec une résistance au découpage par application de pression et de température pour une scie plaquette-silicium ; les modules semi-conducteurs (22) sont séparés avec les couches de matériau de frittage de taille adaptée qu'ils comportent ; les modules semi-conducteurs sont dirigés sur l'installation de liaison ; et le frittage final est réalisé par constitution d'une liaison solide par diffusion/introduction d'atomes de matériau de frittage dans les partenaires de liaison respectifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)