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1. (WO2008006075) MÉMOIRES AVEC PRÉCHARGE FRONTALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/006075    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/072974
Date de publication : 10.01.2008 Date de dépôt international : 06.07.2007
CIB :
G11C 7/06 (2006.01), G11C 7/00 (2006.01)
Déposants : S. AQUA SEMICONDUCTOR, LLC [US/US]; 2711 Centerville Road, Suite 400, Wilmington, DE 19808 (US) (Tous Sauf US).
RAO, G.R., Mohan [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RAO, G.R., Mohan; (US)
Mandataire : LEGGETT, Richard, B.; Schwabe, Williamson & Wyatt, P.C., 1211 SW Fifth Avenue, Portland, OR 97204 (US)
Données relatives à la priorité :
60/819,296 07.07.2006 US
11/771,853 29.06.2007 US
Titre (EN) MEMORIES WITH FRONT END PRECHARGE
(FR) MÉMOIRES AVEC PRÉCHARGE FRONTALE
Abrégé : front page image
(EN)Methods, apparatuses and systems (2900) of operating digital memory (2904) where the digital memory device (2904) including a plurality of memory cells (713) receives a command to perform an operation on a set of memory cells (713), where the set of memory cells (713) contains fewer memory cells than the device (2904) as a whole and where the device (2904) performs the operation including selectively precharging on the front end of the operation, in response to the receiv command, only a set of bit lines (709) associated with the set of memory cells (713).
(FR)L'invention concerne des procédés, des appareils et des systèmes de fonctionnement d'une mémoire numérique dans lesquels le dispositif de mémoire numérique y compris une pluralité de cellules mémoire reçoit une instruction pour réaliser une opération sur un ensemble de cellules mémoire; dans lesquels l'ensemble de cellules mémoire contient moins de cellules mémoire que le dispositif dans son entier et dans lesquels le dispositif réalise l'opération comprenant le préchargement sélectif au début de l'opération, en réponse à l'instruction reçue, d'uniquement un ensemble de lignes binaires associé à l'ensemble de cellules mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)