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1. (WO2008005979) PROCÉDÉ DE FIXATION TEMPORAIRE D'UN SUBSTRAT SUR UN SUPPORT RIGIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/005979    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/072737
Date de publication : 10.01.2008 Date de dépôt international : 03.07.2007
CIB :
H01L 21/50 (2006.01)
Déposants : THE ARIZONA BOARD OF REGENTS, A BODY CORPORATE ACTING FOR AND ON BEHALF OF ARIZONA STATE UNIVERSITY [US/US]; 699 S. Mill Avenue, The Brickyard, Suite 601, Room 691AA, Tempe, AZ 85281 (US) (Tous Sauf US).
O'ROURKE, Shawn [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : O'ROURKE, Shawn; (US)
Mandataire : LONG, Timothy, M.; McDonnell Boehnen Hulbert & Berghoff Llp, 300 South Wacker Drive, Suite 3100, Chicago, IL 60606 (US)
Données relatives à la priorité :
60/818,631 05.07.2006 US
Titre (EN) METHOD OF TEMPORARILY ATTACHING A RIGID CARRIER TO A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FIXATION TEMPORAIRE D'UN SUBSTRAT SUR UN SUPPORT RIGIDE
Abrégé : front page image
(EN)Method for temporarily attaching a substrates to a rigid carrier is described which includes forming a sacrificial layer of a thermally-decomposable polymer, e.g., poly(alkylene carbonate), and bonding the flexible substrate to the rigid carrier with the sacrificial layer positioned therebetween. Electronic components and/or circuits may then be fabricated or other semiconductor processing steps employed (e.g., backgrinding) on the attached substrate. Once fabrication is completed, the substrate may be detached from the rigid carrier by heating the assembly to decompose the sacrificial layer.
(FR)L'invention concerne un procédé pour fixer de façon temporaire un substrat sur un support rigide, lequel procédé comprend la formation d'une couche sacrificielle d'un polymère décomposable par la chaleur, par exemple un poly(carbonate d'alkylène), et la liaison du substrat flexible au support rigide par disposition de la couche sacrificielle intercalaire. Des composants et/ou des circuits électroniques peuvent ensuite être fabriqués ou d'autres étapes de traitement de semi-conducteurs employées (par exemple, rectification) sur le substrat fixé. Après la fabrication, le substrat peut être détaché du support rigide par chauffage de l'ensemble pour décomposer la couche sacrificielle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)