WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008005919) MÉMOIRE RÉMANENTE À GRANDE VITESSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/005919    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/072639
Date de publication : 10.01.2008 Date de dépôt international : 02.07.2007
CIB :
G11C 17/08 (2006.01), G11C 17/00 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
BALASURAMANIAN, Suresh [IN/IN]; (IN) (US Seulement)
Inventeurs : BALASURAMANIAN, Suresh; (IN)
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated, Deputy General Patent Counsel, P.O. Box 655474. MS 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
11/309,174 06.07.2006 US
Titre (EN) HIGH SPEED READ-ONLY MEMORY
(FR) MÉMOIRE RÉMANENTE À GRANDE VITESSE
Abrégé : front page image
(EN)A high speed read-only memory (ROM) (200). Data stored in a memory cell in the ROM array is provided to a sense amplifier in a differential form. Two transistors storing complementary logic states form a memory cell and store a data bit. One transistor has a source terminal connected to a ground terminal while the other transistor has a source terminal left unconnected. The drain terminals of each of the two transistors is connected to a corresponding one of a differential bit- line pair which provides a differential signal representing the stored data bit to a sense amplifier (245).
(FR)Mémoire rémanente à grande vitesse (ROM) (200). Les données stockées dans une cellule de mémoire de l'ensemble ROM sont communiquées à un amplificateur de sens sous forme différentielle. Deux transistors stockant des états logiques complémentaires forment une cellule de mémoire et stockent un bit de donnée. Sur l'un des transistors, une borne source est mise à la terre alors que sur l'autre transistor, une borne source n'est pas connectée. Les bornes de drain de chacun des deux transistors sont connectées à une paire de lignes de bit différentielles transmettant un signal différentiel représentant le bit de donnée stocké à un amplificateur de sens (245).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)