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1. (WO2008005832) PRÉ-NETTOYAGE DE SUBSTRAT DANS DES CHAMBRES D'ÉPITAXIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/005832    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/072469
Date de publication : 10.01.2008 Date de dépôt international : 29.06.2007
CIB :
H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
KIM, Yihwan [KR/US]; (US) (US Seulement).
VATUS, Jean [FR/US]; (US) (US Seulement).
WASHINGTON, Lori [US/US]; (US) (US Seulement).
SAMOILOV, Arkadii [RU/US]; (US) (US Seulement).
ZOJAJI, Ali [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, Yihwan; (US).
VATUS, Jean; (US).
WASHINGTON, Lori; (US).
SAMOILOV, Arkadii; (US).
ZOJAJI, Ali; (US)
Mandataire : SERVILLA, Scott S.; Diehl Servilla LLC, 77 Brant Ave., Clark, NJ 07066 (US)
Données relatives à la priorité :
11/480,134 30.06.2006 US
Titre (EN) PRE-CLEANING OF SUBSTRATES IN EPITAXY CHAMBERS
(FR) PRÉ-NETTOYAGE DE SUBSTRAT DANS DES CHAMBRES D'ÉPITAXIE
Abrégé : front page image
(EN)A method for processing a substrate including a pre-cleaning etch and reduced pressure process is disclosed. The pre-cleaning process involves introducing a substrate into a processing chamber; flowing an etching gas into the processing chamber; processing at least a portion of the substrate with the etching gas to remove a contaminated or damaged layer from a substrate surface; stopping flow of the etching gas; evacuating the processing chamber to achieve a reduced pressure in the chamber; and processing the substrate surface at the reduced pressure. Epitaxial deposition is then used to form an epitaxial layer on the substrate surface.
(FR)L'invention concerne un procédé pour traiter un substrat comprenant une attaque de pré-nettoyage et un traitement sous pression réduite. Le procédé de pré-nettoyage met en jeu l'introduction d'un substrat dans une chambre de traitement; l'écoulement d'un gaz d'attaque dans la chambre de traitement; le traitement d'au moins une partie du substrat par le gaz d'attaque pour retirer une couche contaminée ou endommagée à partir d'une surface de substrat; l'arrêt de l'écoulement du gaz d'attaque; la mise sous vide de la chambre de traitement pour atteindre à une pression réduite dans la chambre; et le traitement de la surface de substrat à la pression réduite. Une déposition épitaxiale est ensuite utilisée pour former une couche épitaxiale sur la surface de substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)