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1. (WO2008005735) DÉTECTION DE BIT D'ÉCHEC DE PAGE PARTIEL DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE FLASH
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/005735    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/072012
Date de publication : 10.01.2008 Date de dépôt international : 25.06.2007
CIB :
G06F 11/10 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 Mccarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
HEMINK, Gerrit, Jan [NL/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HEMINK, Gerrit, Jan; (JP)
Mandataire : ANDERSON, Rodney, M.; Anderson, Levine & Lintel, L.L.P., 14785 Preston Road, Suite 650, Dallas, TX 75254 (US)
Données relatives à la priorité :
11/428,111 30.06.2006 US
Titre (EN) PARTIAL PAGE FAIL BIT DETECTION IN FLASH MEMORY DEVICES
(FR) DÉTECTION DE BIT D'ÉCHEC DE PAGE PARTIEL DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE FLASH
Abrégé : front page image
(EN)A flash memory device, and a method of operating the same, is disclosed. The array of the flash memory device is arranged in pages of memory cells, each page having memory cells associated into groups of memory cells within the page for purposes of fail bit detection in program verification. For example, these groups may correspond to sectors within the page. In a programming operation, the verify process determines whether each group of memory cells within the page has fewer than a selected ignore bit limit for the sector. If not, additional programming is required for the insufficiently programmed cells in the page. By applying a fail bit detection threshold for each of multiple groups within the page, the efficiency of error correction coding in the flash memory is improved. A similar verify and fail bit detection approach may be used in erase and soft programming operations.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de mémoire flash et son procédé de fonctionnement. Le réseau du dispositif de mémoire flash est agencé en pages de cellules de mémoire, chacune ayant des cellules de mémoire associées en groupes de cellules de mémoire dans la page à des fins de détection des bits d'échec dans la vérification du programme. Ainsi, par exemple, ces groupes peuvent correspondre à des secteurs dans la page. Dans une opération de programmation, le procédé de vérification détermine si chaque groupe de cellules de mémoire dans la page possède une quantité inférieure à la ligne de bit à ignorer sélectionnée pour le secteur. Si ce n'est pas le cas, une programmation supplémentaire est requise pour les cellules pas suffisamment programmées dans la page. En appliquant un seuil de détection des bits d'échec pour chacun des groupes dans la page, l'efficacité du codage de correction d'erreur dans la mémoire flash est améliorée. Une approche similaire de vérification et de détection des bits d'échec peut être utilisée dans des opérations de programmation souple et d'effacement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)