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1. (WO2008005612) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET STRUCTURE DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/005612    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/067291
Date de publication : 10.01.2008 Date de dépôt international : 24.04.2007
CIB :
H01L 31/117 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01), H01L 27/01 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
ORLOWSKI, Marius [DE/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ORLOWSKI, Marius; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/428,038 30.06.2006 US
Titre (EN) METHOD FOR FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET STRUCTURE DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)A non-planar semiconductor device (10) starts with a silicon fin (42). A source of germanium (e.g. 24, 26, 28, 30, 32) is provided to the fin (42). Some embodiments may use deposition to provide germanium; some embodiments may use ion implantation (30) to provide germanium; other methods may also be used to provide germanium. The fin (42) is then oxidized to form a silicon germanium channel region in the fin (36). In some embodiments, the entire fin (42) is transformed from silicon to silicon germanium. One or more fins (36) may be used to form a non-planar semiconductor device, such as, for example, a FINFET, MIGFET, Tri-gate transistor, or multi-gate transistor.
(FR)Un dispositif semi-conducteur non planaire (10) se présente avec une nervure de silicium (42), sur laquelle est installée une source de germanium (par exemple 24, 26, 28, 30, 32). Certains modes de réalisation peuvent faire appel à un dépôt pour la fourniture du germanium; d'autres modes de réalisation peuvent faire appel à une implantation d'ions (30) pour la fourniture du germanium; d'autres procédés peuvent également être utilisés pour fournir du germanium. La nervure (42) est ensuite oxydée pour former une zone de canal silicium germanium dans la nervure (36). Dans certains modes de réalisation, le germanium est oxydé sur toute la nervure (42) pour devenir du silicium germanium. Une ou plusieurs nervures (36) peuvent être utilisées pour former un dispositif semi-conducteur non planaire, tel que, par exemple, un FINFET, MIGFET, un transistor à trois grilles ou un transistor à grilles multiples.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)