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1. (WO2008005412) CONTACT SEMI-CONDUCTEUR TRÈS PEU PROFOND PAR DIFFUSION DEPUIS UNE SOURCE SOLIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/005412    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/015321
Date de publication : 10.01.2008 Date de dépôt international : 29.06.2007
CIB :
H01L 21/225 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 27/102 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 McCarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
HERNER, S., Brad [US/US]; (US) (US Seulement).
RADIGAN, Steven, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HERNER, S., Brad; (US).
RADIGAN, Steven, J.; (US)
Mandataire : DUGAN, Brian, M.; Dugan & Dugan, PC, Suite 309, 245 Saw Mill River Road, Hawthorne, NY 10532 (US)
Données relatives à la priorité :
11/478,706 30.06.2006 US
Titre (EN) ULTRASHALLOW SEMICONDUCTOR CONTACT BY OUTDIFFUSION FROM A SOLID SOURCE
(FR) CONTACT SEMI-CONDUCTEUR TRÈS PEU PROFOND PAR DIFFUSION DEPUIS UNE SOURCE SOLIDE
Abrégé : front page image
(EN)The surface of a conductive layer such as a conductive nitride, a conductive suicide, a metal, or metal alloy or compound, is exposed to a dopant gas which provides an n-type or p-type dopant. The dopant gas may be included in a plasma. Semiconductor material, such as silicon, germanium, or their alloys, is deposited directly on the surface which has been exposed to the dopant gas. During and subsequent to deposition, dopant atoms diffuse into the deposited semiconductor, forming a thin heavily doped region and making a good ohmic contact between the semiconductor material and the underlying conductive layer.
(FR)Selon l'invention, la surface d'une couche conductrice comme une couche de nitrure conducteur, un siliciurée conducteur, un métal, ou un composé ou un alliage métallique, est exposée à un gaz dopant qui contient un dopant de type n ou de type p. Le gaz dopant peut être compris dans un plasma. Un matériau semi-conducteur, comme le silicium, le germanium, ou leurs alliages, est déposé directement sur la surface qui a été exposée au gaz dopant. Pendant et après le dépôt, les atomes dopants se diffusent dans le semi-conducteur déposé, constituant une zone mince fortement dopée et réalisant un bon contact ohmique entre le matériau semi-conducteur et la couche conductrice sous-jacente.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)