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1. WO2008005109 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS MEMS EN PRÉVOYANT UN ENTREFER

Numéro de publication WO/2008/005109
Date de publication 10.01.2008
N° de la demande internationale PCT/US2007/011812
Date du dépôt international 16.05.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 28.04.2008
CIB
B81B 3/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
BDISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
3Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p.ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
CPC
B81B 2201/042
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2201Specific applications of microelectromechanical systems
04Optical MEMS
042Micromirrors, not used as optical switches
B81B 3/0072
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
3Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
0064Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
0067Mechanical properties
0072For controlling internal stress or strain in moving or flexible elements, e.g. stress compensating layers
B81C 1/00047
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00023without movable or flexible elements
00047Cavities
B81C 2201/0167
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0161Controlling physical properties of the material
0163Controlling internal stress of deposited layers
0167by adding further layers of materials having complementary strains, i.e. compressive or tensile strain
Déposants
  • QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • TUNG, Ming-Hau [US]/[US] (UsOnly)
  • KOGUT, Lior [IL]/[IL] (UsOnly)
Inventeurs
  • TUNG, Ming-Hau
  • KOGUT, Lior
Mandataires
  • ABUMERI, Mark, M.
Données relatives à la priorité
11/478,70230.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF MANUFACTURING MEMS DEVICES PROVIDING AIR GAP CONTROL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS MEMS EN PRÉVOYANT UN ENTREFER
Abrégé
(EN)
Methods and apparatus are provided for controlling a depth of a cavity between two layers of a light modulating device. A method of making a light modulating device includes providing a substrate, forming a sacrificial layer over at least a portion of the substrate, forming a reflective layer over at least a portion of the sacrificial layer, and forming one or more flexure controllers over the substrate, the flexure controllers configured so as to operably support the reflective layer and to form cavities, upon removal of the sacrificial layer, of a depth measurably different than the thickness of the sacrificial layer, wherein the depth is measured perpendicular to the substrate.
(FR)
La présente invention concerne des procédés et un appareil destinés à commander une profondeur d'une cavité entre deux couches d'un dispositif de modulation de la lumière. Un procédé de fabrication d'un dispositif de modulation de la lumière comprend de fournir un substrat, former un couche sacrificielle sur au moins une partie du substrat, former une couche réfléchissante sur au moins une partie de la couche sacrificielle, et former un ou plusieurs dispositifs de commande de la flexion sur le substrat, les dispositifs de commande de la flexion étant configurés de manière à soutenir de manière opérationnelle la couche réfléchissante et à former des cavités, au moment du retrait de la couche sacrificielle, d'une profondeur différente de manière mesurée de l'épaisseur de la couche sacrificielle, dans lequel la profondeur est mesurée perpendiculairement au substrat.
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