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1. (WO2008004777) STRUCTURE DE NANODISPOSITIF ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/004777    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/003043
Date de publication : 10.01.2008 Date de dépôt international : 22.06.2007
CIB :
B82B 1/00 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), G03F 9/00 (2006.01)
Déposants : KOREA INSTITUTE OF MACHINERY & MATERIALS [KR/KR]; 171, Jang-dong, Youseong-ku, Daejeon-city 305-343 (KR) (Tous Sauf US).
HAN, Chang-Soo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SONG, Jin-Won [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YOON, Yeo-Hwan [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Eung-Sug [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : HAN, Chang-Soo; (KR).
SONG, Jin-Won; (KR).
YOON, Yeo-Hwan; (KR).
LEE, Eung-Sug; (KR)
Mandataire : PANKOREA PATENT & LAW FIRM; Seolim Bldg., 649-10, Yoksam-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0063840 07.07.2006 KR
Titre (EN) NANODEVICE STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE DE NANODISPOSITIF ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A nanodevice structure according to the present invention includes a substrate (10) having alignment marks (16) formed thereon, a plurality of nanomaterial layers (20) applied on the substrate, and electrodes formed to be in partial contact with the upper surface of the nanomaterial layer (20) in order to obtain easy application of the nanomaterial layer (20) and low contact resistance between the electrodes and the nanomaterial layer (20).
(FR)Une structure de nanodispositif selon l'invention comporte un substrat (10) présentant des marques d'alignement (16) formées sur le substrat, une pluralité de couches de nanomatériau (20) appliquées sur le substrat, et des électrodes formées de manière à être en contact partiel avec la surface supérieure de la couche de nanomatériau (20) afin d'obtenir une application simple de la couche de nanomatériau (20) et une faible résistance de contact entre les électrodes et la couche de nanomatériau (20).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)