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1. (WO2008004735) COMPOSITION DE RÉSINE FORMANT DES MICRO-MOTIFS ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MICRO-MOTIFS CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/004735    N° de la demande internationale :    PCT/KR2006/005917
Date de publication : 10.01.2008 Date de dépôt international : 31.12.2006
CIB :
C08L 21/00 (2006.01)
Déposants : CHEIL INDUSTRIES INC. [KR/KR]; 290, Gongdan 2-dong, Gumi-si, Gyeongsangbuk-do 730-710 (KR) (Tous Sauf US).
UH, Dong Sun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YOO, Yong Sik [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Hee Jae [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
WOO, Chang Soo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YUN, Sang Geun [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : UH, Dong Sun; (KR).
YOO, Yong Sik; (KR).
KIM, Hee Jae; (KR).
WOO, Chang Soo; (KR).
YUN, Sang Geun; (KR)
Mandataire : PARK, Yong Soon; 2nd Floor, Sanwon Bldg., 636-15 Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-908 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0064084 07.07.2006 KR
Titre (EN) MICROPATTERN-FORMING RESIN COMPOSITON AND METHOD FOR FORMING MICROPATTERN USING THE SAME
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE FORMANT DES MICRO-MOTIFS ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MICRO-MOTIFS CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a micropattern-forming resin composition that can be used to reduce the area or width of recessed portions in a semiconductor lithographic process. The resin composition is coated on a photoresist pattern layer and comprises an aqueous alcoholic or alkaline solution and a water-soluble polymer. The resin composition can be used reduce the width of recessed portions of the photoresist pattern layer. Therefore, the use of the resin composition enables the formation of a micropattern that overcomes the limitation of wavelength.
(FR)composition de résine formant des micro-motifs pouvant s'utiliser pour réduire la superficie ou la largeur de parties en creux au cours d'un processus lithographique pour semi-conducteurs. Cette composition de résine, que l'on applique sur une couche à motif de photorésist, comprend une solution alcoolique ou alcaline aqueuse et un polymère hydrosoluble. La composition de résine peut être utilisée pour réduire la largeur de régions en creux sur une couche de photorésist. Par voie de conséquence, l'utilisation de cette composition de résine permet de former un micro-motif et donc de surmonter la limite de longueur d'onde.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)