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1. WO2008004720 - PROCÉDÉ SEMI-ADDITIF AU PLASMA DESTINÉ À LA FABRICATION DE CARTE À CIRCUIT IMPRIMÉ

Numéro de publication WO/2008/004720
Date de publication 10.01.2008
N° de la demande internationale PCT/KR2006/003371
Date du dépôt international 25.08.2006
CIB
H05K 3/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
KCIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
02dans lesquels le matériau conducteur est appliqué à la surface du support isolant et est ensuite enlevé de zones déterminées de la surface, non destinées à servir de conducteurs de courant ou d'éléments de blindage
06Elimination du matériau conducteur par voie chimique ou électrolytique, p.ex. par le procédé de photo-décapage
CPC
H05K 2203/095
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
2203Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
09Treatments involving charged particles
095Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
H05K 2203/1476
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
2203Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
14Related to the order of processing steps
1476Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning
H05K 3/108
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
3Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
10in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
108by semi-additive methods; masks therefor
H05K 3/382
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
3Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
382by special treatment of the metal
Déposants
  • JESAGI HANKOOK LTD. [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • BAEK, Tae-Il [KR]/[KR] (UsOnly)
Inventeurs
  • BAEK, Tae-Il
Mandataires
  • HONG, Sung-Chul
Données relatives à la priorité
10-2006-006263804.07.2006KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA SEMI-ADDITIVE PROCESS METHOD FOR MANUFACTURING PCB
(FR) PROCÉDÉ SEMI-ADDITIF AU PLASMA DESTINÉ À LA FABRICATION DE CARTE À CIRCUIT IMPRIMÉ
Abrégé
(EN)
Disclosed herein is a method of manufacturing a printed circuit board using a plasma semi-additive process (PSAP), including: a first plasma-treating step of improving the adhesion of a DFR; a second plasma-treating step of performing descumming and surface-reforming by plasma-treating the surface between pattern walls formed after the first plasma-treating step; a third plasma- treating step of performing descumming and surface-reforming by forming a circuit by plating copper between the plasma-treated pattern walls, removing the pattern walls through a first etching step while copper remains on the substrate, and then plasma-treating the surface of the exposed substrate and the copper- plated surface; and a second etching step of completing an electric circuit by finally etching the plasma-treated substrate.
(FR)
L'invention concerne une méthode de fabrication d'une carte à circuit imprimé au moyen d'un procédé semi-additif au plasma (PSAP), qui comprend une première étape de traitement au plasma consistant à améliorer l'adhérence d'une DFR (résine photosensible sèche); une deuxième étape de traitement au plasma consistant à réaliser un décapage de résine et un reformage de surface par traitement de la surface située entre des parois modelées formées après la première étape de traitement au plasma; une troisième étape de traitement au plasma consistant à réaliser un décapage de résine et un reformage de surface par formation d'un circuit par revêtement de cuivre entre les parois modelées traitées au plasma; à retirer les parois modelées par: une première étape de gravure pendant que le cuivre demeure sur le substrat, puis traiter au plasma la surface du substrat exposé et la surface revêtue de cuivre; et une seconde étape de gravure pour la réalisation d'un circuit électrique par gravure finale du substrat traité au plasma.
Également publié en tant que
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