WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008004657) FILM MINCE D'OXYDE DE ZINC DE TYPE p ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/004657    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/063554
Date de publication : 10.01.2008 Date de dépôt international : 06.07.2007
CIB :
H01L 21/477 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01), C30B 23/08 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 29/16 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01), H01L 33/28 (2010.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
KUSUMORI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HORI, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KUSUMORI, Takeshi; (JP).
HORI, Takahiro; (JP)
Mandataire : SUDO, Masahiko; Shinyo Bldg. 6F, 6-1, Nihonbashi-Muromachi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-187266 06.07.2006 JP
2007-176736 04.07.2007 JP
Titre (EN) p-TYPE ZINC OXIDE THIN FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME
(FR) FILM MINCE D'OXYDE DE ZINC DE TYPE p ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE CELUI-CI
(JA) p型酸化亜鉛薄膜及びその作製方法
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a p-type zinc oxide thin film, which can be clearly proven to be a p-type semiconductor based on the magnetic field dependence of hole voltage by hole effect measurement by hole bar, a method for manufacturing the thin film with good reproduction, and a light emitting element using the thin film. Regarding the preparation of a p-type zinc oxide semiconductor thin film, in order to develop p-type semiconductor properties of zinc oxide, a method for converting zinc oxide to p-type is proposed. The method is characterized by combining the step of annealing a p-type dopant added to a thin film at an elevated temperature to activate the p-type dopant, or applying an active species of a p-type dopant during film formation to dope the p-type dopant in an activated state, with the step of conducting annealing at a low temperature in an oxidizing atmosphere. There are also provided a p-type zinc oxide thin film and a light emitting element realized by the above method. The above constitution can realize the preparation of highly reliable p-type zinc oxide thin film, preparation method thereof, and blue light emitting element using the thin film.
(FR)L'invention propose un film mince d'oxyde de zinc de type p, clairement prouvé comme étant un semi-conducteur de type p sur la base de la dépendance de champ magnétique de la tension de trou par mesure d'effet de trou par une barre de trous, un procédé de fabrication du film mince avec une bonne reproduction, et un élément émettant de la lumière utilisant le film mince. Le procédé proposé permet la préparation d'un film mince de semi-conducteur à oxyde de zinc de type p, dont les propriétés semi-conductrices sont améliorées par la conversion d'un oxyde de zinc en un type p. Le procédé est caractérisé par la combinaison de l'étape d'annelage d'un dopant de type p ajouté à un film mince à une température élevée pour activer le dopant de type p, ou d'application d'une espèce active d'un dopant de type p pendant la formation de film pour doper le dopant de type p dans un état activé, avec l'étape consistant à conduire l'annelage à une température faible dans une atmosphère oxydante. L'invention concerne également un film mince d'oxyde de zinc de type p et un élément émettant de la lumière réalisé par le procédé ci-dessus. La constitution ci-dessus peut réaliser la préparation d'un film mince d'oxyde de zinc de type p hautement fiable, un procédé de préparation de celui-ci, et un élément émettant de la lumière bleue utilisant le film mince.
(JA)   本発明は、ホールバーによるホール効果測定でホール電圧の磁場依存性から、p型半導体であることが明確に示されるp型酸化亜鉛薄膜、同薄膜を再現性良く製造する方法及びその発光素子を提供するものであり、p型酸化亜鉛半導体薄膜を作製する方法において、酸化亜鉛のp型半導体特性を発現させるために、薄膜中に添加したp型ドーパントを活性化する高温アニール工程と、あるいはp型ドーパントの活性種を成膜中に照射することでp型ドーパントを活性させた状態でドーピングすることと、酸化雰囲気中での低温アニールの工程とを組み合わせることで、p型半導体化を実現することを特徴とする酸化亜鉛のp型化の方法と、同方法で実現したp型酸化亜鉛薄膜及びその発光素子に関するものであり、本発明により、高信頼性のp型酸化亜鉛薄膜、その作製方法及びその青色発光素子を作製することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)