WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008004579) LIQUIDE DE POLISSAGE POUR CMP ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/004579    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/063369
Date de publication : 10.01.2008 Date de dépôt international : 04.07.2007
CIB :
B24B 37/00 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Nishishinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630449 (JP) (Tous Sauf US).
KIMURA, Tadahiro; (US Seulement)
Inventeurs : KIMURA, Tadahiro;
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-185471 05.07.2006 JP
Titre (EN) POLISHING LIQUID FOR CMP AND POLISHING METHOD
(FR) LIQUIDE DE POLISSAGE POUR CMP ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE
(JA) CMP用研磨液及び研磨方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a polishing liquid for CMP which enables to continuously polish a barrier layer, a wiring metal layer and an interlayer insulating film, while suppressing formation of a hollow due to excessive polishing of the interlayer insulating film near the wiring metal layer. Specifically disclosed is a polishing liquid for CMP, which contains abrasive grains, an acid, a tolyltriazole compound represented by the general formula (I) below and water. (In the formula (I), R1s independently represent an alkylene group having 1-4 carbon atoms, and R2 represents an alkylene group having 1-4 carbon atoms.)
(FR)La présente invention concerne un liquide de polissage pour CMP qui permet de polir en continu une couche barrière, une couche de circuit métallique et un film isolant intercouche, tout en supprimant la formation d'une dépression à la suite d'un polissage excessif du film isolant intercouche à proximité de la couche de circuit métallique. L'invention se rapporte en particulier à un liquide de polissage pour CMP qui contient des grains abrasifs, un acide, un composé tolytriazole représenté par la formule générale (I) suivante et de l'eau. (Dans la formule (I), R1s représente indépendamment un groupe alkylène possédant des atomes de carbone 1-4, et R2 représente un groupe alkylène possédant des atomes de carbone 1-4.)
(JA)figure
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)